大规模7-光学光刻研究报告.pptVIP

第 7 章 光学光刻;涂光刻胶（正）;光源;有掩模方式 无掩模方式 （聚焦扫描方式）; 7.2 衍射; 7.3 调制传输函数和光学曝光; 定义图形的 调制传输函数 MTF 为; 由于衍射效应是光学曝光技术中限制分辨率的主要因素，所以要提高分辨率就应使用波长更短的光源如 深紫外光。实际使用的深紫外光源有 KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和 F2 准分子激光（157 nm）等。 ;7.5 接触式与接近式光刻机; 二、接近式光刻机; 最小可分辨的线宽为;;7.6 投影式光刻机; 分辨率与焦深对波长和数值孔径有相互矛盾的要求，需要折中考虑。增加 NA 线性地提高分辨率，平方关系地减小焦深，所以一般选取较小的 NA。为了提高分辨率，可以缩短波长。;掩模; 三、分步重复缩小投影光刻机;光源;UV light;; 缺点： 1、曝光效率低； 2、设备复杂、昂贵。 ; 7.7 先进掩模概念;二、抗反射膜 光线在掩模版和透镜表面的部分反射会使光能受到损失。有些光线经多次反射后会打到硅片上，使图形质量受到影响。为了减小这个问题，一种新掩模技术采用在掩模版靠近镜头的一面加上 10% 的抗反射剂。 ; 由公式; 对光刻胶和镜头等的改进只能稍微减小 k1 值。而 相移掩模技术 等 超分辨率技术 的发明使 k1 突破性地下降了一半以上 ，从而使分辨率极限进入了 亚波长 范围，使 i 线和深紫外光 的分辨率分别达到了 0.25 ?m 和 0.10 ?m ，同时也使 X 射线光刻机的使用比原来预期的大大推迟。 除相移掩模技术外，超分辨率技术还包括 光学邻近效应修正技术 和 双层及多层光刻胶技术 等。; 相移掩模技术的关键是在掩模的透光区相间地涂上相移层，并使用相干光源。这使透过相邻透光区的光线具有相反的相位，从而使其衍射部分因干涉作用而相互抵消。; 边缘相移掩模技术; 把掩模设想为一个曝光矩阵 M，由许多 0 和 1 的像素组成，0 代表透明区，1 代表不透明区。当用这块掩模对硅片曝光后，在硅片表面可以得到一个包含相同数目像素的图形矩阵 W。在理想情况下，这两个矩阵应该相同。但是在实际情况下，由于曝光工艺会??成硅片表面图形的畸变，从而影响图形矩阵 W 。可以建立一个矩阵 S 来表示从矩阵 M 到矩阵 W 的变化，即 W = SM 矩阵 S 中包含了光学系统的所有信息。理想的 S 是一个单位矩阵，但实际上它包含了反映图形畸变的非对角元素。; 所谓光学邻近效应修正（OPC）就是求出矩阵 S 的逆矩阵 S-1，用来对原来的掩模进行修正，得到新掩模的曝光矩阵为 M1 = S-1M ;7.8 表面反射和驻波; 解决办法 1、改变淀积参数以控制薄膜的反射率； 2、使表面平坦化； 3、在光刻胶下加一层抗反射膜; 二、驻波 ;7.9 对准;光学曝光的各种曝光方式及其利弊小结; 习 题 4、8 ( 参考例 7.1 )、 补充题 在投影式曝光技术中，分辩率与焦深之间存在什么矛盾？如何协调这个矛盾？分步重复曝光有什么优点？