[工学]2011-3微电子工艺实验指导书.docVIP

《微电子工艺实验》 实验指导书 上海大学材料科学与工程学院 电子信息材料系 目录 《微电子工艺实验》教学大纲 3 第一部分 硅平面器件制作 5 一．硅平面器件基础理论 5 （一）p—n结的光伏效应 5 （二）太阳能电池 7 （三）光电器件 11 二. 硅平面器件制作实验工艺原理 16 实验一 氧化工艺实验 17 实验二 光刻工艺实验 19 实验三 扩散工艺实验 23 实验四 磨片与吸杂工艺实验 25 实验五 真空蒸发工艺实验 27 实验六 制绒面工艺实验 29 实验七 辅助工序工艺实验 31 附 硅平面工艺条件设计中常用的图表： 33 第二部分 材料与器件性能表征 34 实验要求 34 实验一 硅光敏器件管芯特性的测量与分析 35 实验二 硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量 38 硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量实验 39 硅材料电阻率测试 39 一 前言 39 二 实验原理 39 三 实验步骤与要求 41 四探针法测扩散薄层的方块电阻 45 一 前言 45 二 测量原理 45 三 实验方法 47 附：半导体材料导电类型的判断 49 实验三 硅光电池光照特性的测量与分析 50 硅光电池光照特性的测量与分析实验 51 一 前言 51 二 实验原理 51 三 步骤与要求 52 实验四 硅光电器件光谱响应特性的测量 54 硅光电器件光谱响应特性的测量实验 55 一 前言 55 二 实验原理 55 三 实验步骤及要求 56 《微电子工艺实验》教学大纲 一．实验目的 微电子技术的进步，给社会和经济的发展注入了巨大的活力。微电子学是一门实践性很强的学科，本实验目的是：经过《电子材料》、《半导体物理》、《半导体器件原理》、《半导体集成电路》、《微电子材料测试技术》等课程的学习，学生在具备一定专业理论的基础上，通过相关的实验课程，对以硅平面工艺为代表的半导体器件的制作过程以及材料、器件的性能及表征方法有比较全面的了解，并在实验过程中训练基本的实验技能，培养分析和解决问题的能力。 二．实验要求 硅PN结是双极器件的基本单元，PN结的制作过程基本能反映硅平面器件的全部核心工艺，双极晶体管和集成电路都是由PN结衍生出来的。另外，考虑到课程学时数的限制，拟选取硅PN结光电二极管和太阳电池的制作为硅平面器件制作的实验对象，要求学生： 了解并掌握硅PN结光电二极管和太阳电池的材料参数与器件特性的关系、器件制作的工艺流程及工艺条件的设计，完成硅PN结光电二极管和太阳电池的制作； 巩固并掌握已在《微电子材料测试技术》课程中了解的硅材料及器件的性能参数及表征方法； 认真完成实验报告，并进行成品率考核，培养学生的责任感和成就感。 三．实验大纲 《微电子工艺实验》以为硅平面器件中的硅PN结光电二极管和太阳电池的制作为实验对象。考虑到器件制作过程中工艺监控所需要的基本实验技能，硅平面器件制作中应加做几个性能表征实验，学生可根据实验课程学时数的安排，选作部分或全部。 硅平面器件制作，具体要完成： 实验一 氧化工艺实验 实验二 光刻工艺实验 实验三 扩散工艺实验 实验四 磨片与吸杂工艺实验 实验五 真空蒸发工艺实验 实验六 制绒面工艺实验 实验七 辅助工序工艺实验 材料与器件性能表征，具体要完成： 实验一. 硅光电器件管芯特性的测量与分析 实验二. 硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量 实验三. 硅光电池光照特性的测量与分析 实验四. 硅光电器件光谱响应特性的测量 四.教材与参考书 教 材：[1]半导体实验教程（第1版）天津大学出版社，郑云光，1989年。 [2]光敏感器件及其应用（第1版）科学出版社，齐丕智, 1987年。 参考书：[1] 半导体专业实验，讲义，鄢和平 陈伟秀，1984年。 [2] 半导体器件工艺原理（第1版），人民教育出版社，厦门大学，1977年。 五.考核方式 实验报告、动手能力的课堂考核。 第一部分 硅平面器件制作 一．硅平面器件基础理论 （一）p—n结的光伏效应 平衡的p—n结存在一个势垒，在势垒区中，p型一边由失去空穴带负电的受主离子组成，在n型一边则由失去电子带正电的施主离子组成，是一个空间电荷区。在势垒区的边界之间存在一个接触电势差VD，平衡的p—n结接触电势差VD为： 若对硅p—n结，NP=5×1015cm-3，Nn=1020cm-3，ni=1.5×1010cm-3，计算得出在室温下VD为0.9伏。这个电位差降落在势垒区内部，在p—n结