超大规模集成电路设计导论第4章节：逻辑设计技术幻灯片.ppt

* * 改进的动态触发器 * * （3）准静态触发器： 第五节 存储器（Memory） 存储器是用来存储信息的，它分为以下两大类： （1）只读存储器ROM：使用时只能读出信息。 掩膜MROM：制造时写入信息。 可编程PROM：使用前用户写入信息，写入后不能改写。 可擦除EPROM，EEPROM：使用前用户写入信息，写入后能改写。 * * （2）随机存储器RAM：使用时可读写信息。 动态随机存储器DRAM：用管子少，面积小，功耗低。信号需要再生。 静态随机存储器SRAM：信号不需要再生，抗干扰能力强。用管子多，面积大，功耗大。 * * （一）动态随机存储器DRAM 最简单的DRAM存储单元 是单管单元，它由一个晶 体管与一个和源极相连的 电容构成。 单元写入过程： 字线为高，数据线为低：写“1” 数据线为高：写“0” 单元读出过程： 字线为高，数据线预冲电至高， Cs上有电荷：读出“1” Cs上无电荷：读出“0” * * 特点： （1）位线的寄生电容CD较大：Cs/CD大约1/10。 根据电荷守恒原理： VD是很小的，数据线上读出要用灵敏放大器。 （2）读出是破坏性的，读出后要对单元进行再生。 （3）线路简单，单元占面积小，速度快。 * * （二）静态随机存储器SRAM * * T1~T4 交叉耦合静态触发器：存储信息。 T5~T6把触发器与字线、位线连接起来。 字线不选中：T5、T6截止，存储单元处于保持状态。 字线选中： T5、T6导通，如列线选中单元，T7、T8导通，单元状态经过T7、T8传至读出放大器或写入信息经过T7、T8、T5、T6进入静态触发器。 * * （三）掩膜只读存储器MROM 全固定式MROM，把信息预先放到生产过程中所使用的掩膜版中。这种存储器的写入准确性和稳定性都很高，适合与大批量生产。 MROM的存储单元由两种类型单元构成： 低开启电压的存储单元，存“1” 高开启电压的存储单元，存“0” * * MROM的存储单元 * * （四）EPROM EPROM是一种用紫外线或X射线，可将存储的信息一次全部擦除的ROM。 EPROM的单元是采用浮栅MOS（FAMOS）管构成的。 * * （五）EEPROM EEPROM是采用电将全部信息一次擦除的ROM。 EEPROM的存储单元是由叠栅管组成的。 * * 第四章 逻辑设计技术 * * 清华大学计算机系 第一节 MOS管的串、并联特性 晶体管的驱动能力是用其导电因子β来表示的，β值越大，其驱动能力越强。多个管子的串、并情况下，其等效导电因子应如何推导？ 一、两管串联： * * 设：Vt相同，工作在线性区。 将上式代入（1）得： 由等效管得： * * 比较（3）（4）得： 同理可推出N个管子串联使用时，其等效增益因子为： * * 二、两管并联： 同理可证，N个Vt相等的管子并联使用时： * * 第二节 各种逻辑门的实现 一、与非门： * * 与非门电路的驱动能力 在一个组合逻辑电路中，为了使各种组合门电路之间能够很好地匹配，各个逻辑门的驱动能力都要与标准反相器相当。即在各种工作条件下，各个逻辑门的驱动能力至少不低于标准反相器的驱动能力。 设：标准反相器的导电因子为：βn=βp * * 设：与非门的导电因子为：βn1=βn2=β’n βp1=βp2=β’p （1）a，b=1，1时，下拉管的等效导电因子：βeffn=β’n/2 （2）a，b=0，0时，上拉管的等效导电因子：βeffp=2β’p （3）a，b=1，0或0，1时，上拉管的等效导电因子：βeffp=β’p 综合以上情况，驱动能力最低的工作情况是（1）（3），应使： βeffp=βp =β’p ；βeffn=βn =β’n/2 即要求p管的沟道宽度比n管大1.25倍以上。 * * 二、或非门： * * 设：或非门的导电因子为：βn1=βn2=β’n βp1=βp2=β’p (1)当a，b=0，0 时，上拉管的等效导电因子：βeffp=β’p/2 (2)当a，b=1，1时，下拉管的等效导电因子：βeffn=2β’n (3)当a，b=1，0或0，1时，下拉管的等效导电因子：βeffn=β’n 综合以上情况，在驱动能力最低的工作情况（1）（3），应使： βeffp=β’p/2=βp ；βeffn=β’n=βn 即