超大规模集成电路设计导论第5章节：版图设计技术幻灯片.ppt

二、电容 平行板电容器的计算我们可以用下面的公式计算： 其中： ?0是真空介电常数， ?ox是SiO2的相对介电常数，4.0 tox是介质SiO2的厚度 A是平行板的面积 令：C?= 表示方块电容，单位是F/? 则：C= C??A * * （1）单层连线电容 * * 电容估算公式 其中： w=导体宽度 h=绝缘体厚度 t=导体厚度 ?=绝缘体介电常数 在w?t/2及t?h时， 上式得误差在10%以内。 * * （2）多层导体电容 ???????? * * 三层金属的连线电容 * * 连线电容一般是由连线引起的寄生电容。例如：金属与衬底、金属与多晶硅、金属与扩散区、不同层金属之间、同层金属之间、多晶硅与衬底等等都会形成寄生电容。 连线层的电容可直接对每一连线的几何形状选用适当参数公式而计算得到。然而，对一个大电路系统而言，仍须要耗费相当多的计算量，因此较常用的方式为先计算导体面积，再依照导体大小及布线密度，乘上比例因子。 * * 3、MOS器件电容 MOS器件存在两种电容：栅电容、扩散电容 * * （1）栅电容：Cg 栅极到衬底电容 Cgb=C??A 栅到源、漏电容 Cgs、Cgd 总的栅电容应为 Cg=Cgb+Cgs+Cgd 其中：Cgb 栅极到衬底电容 Cgs 栅到源电容 Cgd 栅到漏电容 * * MOS晶体管在三个不同操作范围内的栅极电容特性 截止区（VgsVt）：Cgs=Cgd=0 Cg=Cgb= 非饱和区（Vgs-VtVds） ： 饱和区（Vgs-VtVds）： Cgd=0，Cgs= * * MOS栅极电容近似值 * * 电容值 参数 截止 非饱和 饱和 Cgb Cgs Cgd Cg=Cgb+Cgs+Cgd ?A/tox 0 0 ?A/tox 0 ?A/2tox ?A/2tox ?A/tox 0 2?A/3tox 0 2?A/3tox （2）扩散电容：Cd 扩散电容主要是由源、漏扩散区与衬底或P阱之间形成的PN结电容。它由两部分组成：扩散区底面结电容和周边电容。 Cd=Cja（ab）+Cjp（2a+2b） 其中：Cja 每平方?m的结电容 Cjp 每?m长度的周边电容 a 扩散区宽度 b 扩散区长度 * * 第五章 版图设计技术 * * 清华大学计算机系 第一节 引 言 硅平面工艺是制造MOS IC 的基础。利用不同的掩膜版，可以获得不同功能的集成电路。因此，版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图，有利于充分利用芯片面积，并能满足多种电路性能要求。但是效率低、周期长、容易出错，特别是不能设计规模很大的电路版图。因此，该方法多用于随机格式的、产量较大的MSI和LSI或单元库的建立，也用于复杂的模拟集成电路的设计。 * * 2、计算机辅助设计（CAD） 在计算机辅助设计系统数据库中，预先存入版图的基本图形，形成图形库。设计者通过一定的操作命令可以调用、修改、变换和装配库中的图形，从而形成设计者所需要的版图。同时还具有联机的DRC检查功能。 在整个设计过程中，设计者可以通过显示，观察任意层次版图的局部和全貌；可以通过键盘、数字化仪或光笔进行设计操作；可以通过绘图机得到所要绘制的版图图形。利用计算机辅助设计，可以降低设计费用和缩短设计周期。 * * 3、自动化设计 在版图自动设计系统的单元数据库中，存有标准单元的电路图、电路性能参数及版图。在版图设计时，只要将所设计的电路图（Netlist）输入到自动设计系统中，再选择版图的设计规则和工艺参数库，自动设计工具可以进行自动布局设计、自动布线设计并根据设计要求进行设计优化，最终输出版图。 * * 第二节 版图设计过程 布图设计的输入是用工业标准DEF描述的电路网表，其输出是用工业标准CIF/GDSII描述的版图。通常情况下，整个布图设计可分为划分(Partition)；布图规划(Floor-