第二章_材料的导电性能3 武汉理工大学出版社精品.pptVIP

* * * * * * P区中空穴向N区扩散，在交接面的P区中只留下三价掺杂负离子。 N区中自由电子向P区扩散，在交接面的N区中只留下五价掺杂正离子。故在交接面形成空间电荷区。 空间电荷区形成由N指向P区的内电场和内建电位差，阻止空穴和自由电子的扩散，最终扩散和漂移达到动态平衡。 无外加电场，PN区内无电流。 * 其中e为载流子（电子）电量， 为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B为磁感应强度。 * 设 型半导体单位体积中有 个施主原子，施主能级为 ，具有电离能 导带中的电子浓度 和费米能级为： 3）杂质半导体中的载流子浓度 * p型半导体的载流子主要为空穴，仿照上式可得： ——受主杂质浓度， ——受主能级， ——电离能， 式中： * 对本征半导体，其电导率为： 型半导体电导率为： 4）本征半导体和杂质半导体的电导率 第一项与杂质浓度无关。第二项与施主杂质浓度 有关，因为 ，故在低温时，上式第二项起主要作用；高温时杂质能级上的有关电子已全部离解激发，温度继续升高时，电导率增加是属于本征电导性（即第一项起主要作用）。本征半导体或高温时的杂质半导体的电导率与温度的关系可简写为： * 型半导体： 5）杂质半导体的电导率随温度的变化关系 N型半导体电导率随温度的变化