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晶体三极管及放大电路 第二节  半导体三极管及其放大电路 （2）三极管的分类 按使用的半导体材料分：锗管和硅管。 按内部三个区的半导体类型分：NPN管和PNP管。 按工作频率分：低频管和高频管。 按功率分：小功率和大功率。 按用途分：普通三极管、开关三极管 2、三极管的电流放大作用 （1）电流方向：发射极箭头方向表示电流方向。 对于NPN管，基极电流从基极流入，发射极流出，集电极电流从集电极流入，发射极流出；对于PNP管，基极电流从发射极流入，基极流出，集电极电流从发射极流入，集电极流出。 （2）三极管内部电流关系： Ie=Ib+Ic （3）集电极电流与基极电流之间的关系： Ic=β·Ib 三极管的电流放大作用实质上是用基极小电流去控制集电极大电流，而不是真正将电流放大了。 3、三极管的特性曲线 （1）输入特性曲线 指三极管的Uce为常数时Ube与Ib之间的关系 4、三极管的三种连接方式 （2） 极间反向饱和电流 ICE0与ICB0存在如下关系： ICE0＝（1＋β）ICB0 ICB0随着温度的上升而增大，通常每升高100C，ICB0约增大10倍。ICB0的增大会使ICE0随之增大，造成三极管的集电极电流随温度而变化，影响电路的稳定性。因此，在选择三极管时，一是要求ICB0越小越好，二是不要盲目追求β值过大的管子。 （3）极限参数 ①. 集电极最大允许电流 ＩＣＭ 指三极管的参数变化不超过允许值时，集电极电流的最大允许值。 从三极管的Ic与β的关系上可以看出，Ic增大，β值降低。当Ic达到ICM以后，β值将下降到正常值的2/3以下。 ③ 反向击穿电压 ＢＵCBO——发射极开路时, 集电极-基极间的反向击穿电压。 ＢＵCEO——基极开路时, 集电极-发射极间的反向击穿电压。 ＢＵCER——基射极间接有电阻Ｒ时, 集电极-发射极间的反向 击穿电压。  ＢＵCES——基射极间短路时, 集电极-发射极间的反向击穿电 压。 ＢＵEBO——集电极开路时, 发射极-基极间的反向击穿电压, 此电压一般较小, 仅有几伏左右。  上述电压一般存在如下关系： BUCB0BUCESBUCE0BUEB0 6、三极管的检测与代换 （1）国产三极管的命名方法(见二极管命名方法） 我国半导体器件命名中第二、三部分字母的意义 （2）日本半导体器件型号命名方法： （3）欧洲半导体器件型号命名方法： 用三用表对三极管进行估测： ①.根据两个PN结的二极管特性找出“基极”。同时就知道该管是PNP管还是NPN管。 ②根据测量放大倍数的原理找出集电极和发射极。 ③在be极间外加偏压，测量Vbe值，就可知道该管为硅管还是锗管。 1、放大器的基本概念； （1）放大器的作用： 把微弱的电信号放大到所需值。 （2）对放大器的要求： 具有足够大的放大倍数。 具有一定的频带宽度。 非线性失真小。 工作稳定。 2、三极管在实际应用中的三种放大电路形式 （1）共发射极电路形式 （2）共基极电路形式 特点： 电压放大倍数大； 功率放大倍数一般； 频率特性好；稳定性较好； 输入阻抗最小；输出阻抗最大； 输入与输出信号同相。 （3）共集电极电路形式 特点： 电压放大倍数小于1； 功率放大倍数一般； 频率特性好；稳定性较好； 输入阻抗最大；输出阻抗最小。 输入与输出信号同相。 常用于阻抗变换和隔离。 3、 基本放大电路的组成 （1）基本放大电路的组成原则 放大器由晶体三极管、电阻、电容、电感、电源等组成。从电路上分析，可以分为直流电路和交流电路两个部分。其中直流电路用来保证晶体管发射结正偏，集电结反偏，从而保证晶体管工作在放大状态。（信号源和负载不是放大器的组成部分，但它们对放大器的工作状态有影响） （2）典型放大电路的组成及各元件的作用 4、放大电路的两种状态——静态和动态 （1）静态：静态是指直流工作状态，只有直流工作状态正确，三极管才能够放大信号。 在直流工作状态分析中，可以将电容器看成开路，而将电感线圈看成短路。 （2）直流测量的关键点： 晶体管各极的直流电位。 发射极正向电压降。 集电极电流。 （4）动态：动态是指交流工作状态。 在分析交流工作状态时，可以把电源Vcc看成短路；把交流“旁路电容”看成短路；把隔直流耦合电容看成短路；保留谐振回路中的线圈和电容。 三、放大电路常用的直流偏置电路 1、固定式直流偏置电路 特点：电路简单；元器件少；热稳定性差。 3、分压式电流负反馈偏置电路 特点： 电路中分压电阻Rb1和Rb2的阻值选得适当小一些，使得三极管的基极电位主要由它们决定。发射极负反馈电阻的阻值越大，负反馈越深，电路稳定