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LED 工程图
LED 模组/应用产品
包装
Chip工程
LED 外膜形成
基板
MOCVD
LED 制作工程
Park
Park
Dicing了的 LED Chip
Photolithography
Etching
Metallization
Lapping/Polishing
Dicing
0.3 mm
LED Chip工程
基板
(CH3)3Ga
NH3
n型 dopant (Si2H6)
基板
n-GaN
p-GaN
(CH3)3In
InGaN
~ 1080 oC
(CH3)3Ga + NH3 = GaN + 3CH4 (byproduct)
* 外膜形成 (Epitaxy) : 结晶方位类似的分子结构在基板上用化学(MOCVD)或物理(MBE) 方法形成p-n 结合层.
on (epi) + arrangement (taxy)
p型 dopant (Cp2Mg)
外延 (Epitaxy)
MO gas
采用MOCVD方法的薄膜形成
QW
Chip制作工程 (Nitride LED)
基板
LED 结构
SiO2 (绝缘膜)
PR
Mask
1. 贴电极/绝缘膜层
2. 曝光 (photolithography)
3. Development
4. Oxide etching (RIE)
5. PR 去除后 GaN etching (ICP)
基板
LED 结构
Metal(透明电极)
基板
LED 结构
基板
LED 结构
基板
LED 结构
基板
LED 结构
去除绝缘膜后 RTA
Chip制作工程 (Nitride LED)
7. 曝光 (photolithography)
8. Metallization
9. Lift-off
6. PR coating
基板
基板
基板
基板
基板
10. Lapping/Polishing
基板
11. Scribing/Breaking
Sapphire
p-GaN
(0.2 um)
n-GaN
(3 um)
QW’s
Chip dimension = 0.3 x 0.3 x 0.1 mm3
(-)
(+)
GaN buffer
P
透明电极 (金属薄膜或金属氧化物)
LED Chip (Nitride LED)
LED Chip (AlGaInP)
Substrate (n-GaP)
Window (p-GaP)
Lower confining layer
Upper confining layer
Active layer
(+)
(-)
Wafer bonding
AlGaInP MQW
Substrate (n-GaAs)
Window (p-GaP)
Lower confining layer
Upper confining layer
Active layer
(+)
(-)
AlAs/AlGaAs DBR
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