四种气相沉积法.doc

光纤制备中的工艺研究 — ***班 *** 一．引言 人们对光纤生产过程中外汽相沉积(OVD)工艺的沉积机理的研究已经有好多年, 但实际生产过程中, 很多因素都会影响沉积速率和效率。为此法尔胜公司通过试验, 研究了决定沉积速率和沉积效率的主要因素, 如预制棒表面温度SiCl4 流量和SiO2 颗粒的温度等。 二．芯棒工艺 1．OVD 工艺简介 在光纤预制棒的众多生产方法中, 外汽相沉积(OVD)和轴向汽相沉积(VAD)都属于火焰合成法。这两种方法和改良的化学汽相沉积法(MCVD)、等离子化学汽相沉积法(PCVD)并称为光纤预制棒制作的四大方法。在OVD工艺中, SiO2颗粒在火焰中生成, 颗粒的粒径从几纳米到几百纳米不等, 颗粒随着凝聚作用逐渐长大, 被气流带动后沉积在靶棒上。颗粒增长的机理完全取决于火焰的温度、化学反应前体(反应物和载流气体的混合物)的浓度、火焰中SiO2颗粒的漂流时间、颗粒流的密度和形态。颗粒的产生、成链和烧结是颗粒形成的三个重要过程。对颗粒的大小、形态等的研究分析, 有助于了解沉积速率与颗粒大小、形态之间的关系。预制棒相对于灯头的移动和转动速度, 决定了预制棒表面的温度分布, 影响了颗粒在预制棒表面的沉积状态。对预制棒移动方式的研究分析, 有助于提高沉积速率。OVD的沉积原理是颗粒的热泳运动, 而颗粒的沉积过程则是一传热传质过程。SiO2 颗粒的沉积过程主要取决于预制棒周围气体的流量和温度, 因此热传导和颗粒沉积是OVD中最关键的问题，例如预制棒的移动速度, 载流氧的流量, 棒的移动方式等。 2．颗粒形成原理 OVD 是采用金属灯产生的协流火焰进行火焰水解和烧结, 将SiO2沉积在预制棒上的，OVD 的化学过程可以用下面的化学反应式来表达: 2H2+ O2→2H2O SiCl4+ 2H2O →SiO2+ 4HCl 由于反应中产生水汽, 因此称为火焰水解反应。然而, 康宁公司部分人认为OVD 的反应应该是: 2H2+ O2→ 2H2O SiCl4 + 2H2O →SiO2 + 4HCl 由于反应中产生水汽, 因此称为火焰水解反应。然而, 康宁公司A 1anJ. Morrow 等人认为OVD 的反应应该是: SiCl4 + O2 → SiO2 + 2Cl2↑ 2H2O + 2Cl2→ 4HCl+ O2↑ 因此应称为氧化反应。也有人认为OVD工艺中这两种反应兼而有之, 在不同的温度范围内发生不同的反应。灯芯部分以氧化反应为主, 而距离喷灯较远部分则以水解反应为主。 形成不完全凝聚颗粒的速率取决于实际原始颗粒的比面积和同等体积颗粒的比面积之差。火焰的温度在很大程度上影响颗粒之间的结合程度。温度高时, 颗粒的热运动越剧烈, 颗粒之间相互碰撞和结合的几率就越高, 相应的结合成较大颗粒的几率就越大, 从而导致大颗粒的形成, 比面积就小。温度低时, 结合作用比颗粒间的碰撞作用要慢很多, 导致比面积大的不规则颗粒的形成。 3．沉积原理 OVD工艺和VAD工艺的不同在于,OVD工艺是预制棒相对于灯头火焰进行往复式的移动,VAD工艺只是火焰对准预制棒的端面进行沉积。所以要做大棒, VAD就必须用很大很长的灯头, 而OVD只要让灯头移动或棒移动, 移动速度对沉积速率的影响很明显, 但对灯的结构不用做很大的改变,原因是OVD的颗粒粒径在几十到几百纳米不等,如此微小的颗粒主要是靠热泳作用沉积到棒上的。OVD火焰产生的SiO2颗粒漂浮在火焰中, 形成气溶胶。当气溶胶粒子存在于一温度分布不均匀的气体中时, 粒子受温度梯度的驱使会由高温处往低温处运动,此现象称为热泳。气溶胶粒子在悬浮系统中进行热泳时, 粒子与粒子之间会产生交互作用,使得粒子个别热泳速度及悬浮系统的平均热泳速度有别于单一粒子存在时的情形。OVD颗粒沉积的热泳效率必须用沉积速率和沉积效率进行评估。影响OVD中沉积速率的重要参数有旋转速度、预制棒的半径、喷灯口到预制棒中心的距离 、喷灯口的半径、喷灯口的射流速度以及射流、空气和预制棒表面的温度等。 4.1 灯头移动速度对沉积速率的影响 灯头移动速度较慢, 沉积速率较低; 灯头移动速度越快, 沉积位置受到的加热时间越短, 温度也就相对越低, 温度差就越大, 因而沉积速率越大, 但移动速度越快, 带来的负面影响是表面的螺纹明显。因此，优化的模式应是找到预制棒表面质量和沉积速率之间的一个平衡点。 4.2　灯头移动方式对沉积均匀度的影响 当采用相同的速度来回沉积时, 可以发现棒两端的直径要小于中间的直径, 原因在于当从两端折回时, 刚被火焰烧过的部分还有很高的温度, 紧接着要进