显示技术半导体制程.ppt

第3章 顯示技術半導體製程 前言 TFT Array的製造流程基本上是TFT的製作過程。 α–Si TFT Array的製造流程有 洗淨技術 成膜技術如濺鍍法以及化學氣相沉積法(CVD) 光微影技術如光阻劑塗佈 預先烘培、微影、顯影以及後續烘培等 蝕刻技術 光阻劑去除技術 電極蒸鍍技術等一連串反覆地操作過程 Step 1 將玻璃基板預先進行洗淨處理 目的：清除玻璃基板表面上可能殘留的納離子類污染物 利用濺鍍法或電漿化學氣相沉積法(PCVD)形成SiO2或Ta2O5之表面薄膜覆蓋層 利用濺鍍法將閘電極用或掃描配線材料靶材濺鍍形成金屬薄膜 Step 2 將光阻劑剝離後，在閘電極的表面上形成第一層陽極氧化膜作為閘極絕緣體 再利用(PCVD)連續地成長第二層SiNx閘極絕緣膜、半導體活性層功能的α–Si :H、通道保護膜SiNx等構成所謂的三層薄膜結構 Step 3 通道保護膜的配線圖案形成後，使其摻有磷原子之n+型的α–Si形成薄膜 將n+型的α–Si及其下方的α–Si:H層同時進行蝕刻處理，形成島狀結構配線圖案 利用光阻劑塗佈、曝光微影、顯影等製程技術將TFT部份的α–Si圖案形成 利用乾式蝕刻技術將圖案部分以外的n+型α–Si薄膜及α–Si薄膜去除 Step 4 運用物理式濺鍍法濺鍍透明導電電極膜--ITO (Indium Tin Oxide)薄膜 利用濕式蝕刻技術去除不需要的部分，形成畫像素電極圖案(Pixel Pattern) 利用光阻劑塗佈、曝光微影、顯影等製程技術將閘電極及接觸通道(Contact Hole)的圖案形成 再利用蝕刻技術將閘絕緣膜去除，僅形成接觸通道 Step 5 利用物理式濺鍍法濺鍍金屬薄膜 利用光阻劑塗佈、曝光微影、顯影等電路圖案製作過程，形成所需TFT的源電極、汲電極及信號線配線 利用(PCVD)成長氮化膜 再利用光阻劑塗佈、曝光微影、顯影等圖案製作過程,，形成配線電極端子的接觸通道及顯示電極開口部的圖案 將氮化膜利用蝕刻技術去除 Step 6 成長保護膜SiNx ，將其週邊的電極接合端部份顯露出來，完成TFT Array的製作 TFT Array 製程關鍵性技術—洗淨製程技術(1) α–Si TFT Array 洗淨過程約佔整個製程的30% 洗淨主要目的有三 為了得到良好的導電性、提升膜的密著性，以改善、控制基板表面品質 去除基板表面上所附著的微塵顆粒 提升整個製程品質及最終產品良率 TFT Array 製程關鍵性技術—洗淨製程技術(2) 去除微塵顆粒的洗淨方法有 毛刷旋轉清洗基板表面的刮除洗淨(Scrub) 去除微小顆粒最有效的洗淨方式 尤其是強力附著於基板表面之微小顆粒的去除 僅限制用於可容許較大膜表面的情況 TFT Array 製程關鍵性技術—洗淨製程技術(3) 低頻(10~100kHz)、高頻(1MHz)超音波振盪洗淨 超音波振盪洗淨是一種非接觸式，屬低損傷之微小顆粒去除的洗淨方法 高頻超音波會產生空穴效應(Cavitation) ，使膜表面的損傷程度變小 最常用於單片式隙縫沖洗(Slit Shower) ，具有去除次微米級顆粒功能 TFT Array 製程關鍵性技術—洗淨製程技術(4) 紫外線洗淨及臭氧洗淨 去除有機物及控制基板表面狀態 方法有 有機溶劑處理法 臭氧處理法 紫外線照射處理法 TFT Array 製程關鍵性技術—洗淨製程技術(5) 氟酸系藥劑處理法及Ar氣體的電漿處理法或離子濺鍍處理法 用於處理半導體薄膜、金屬層、摻雜層、歐姆接觸等有損害之劣等自然氧化膜(長於半導體膜表面) TFT Array 製程關鍵性技術—洗淨製程技術(6) 玻璃基板乾燥方法有 旋轉乾燥法 氮氣空氣刀乾燥法 乾燥空氣吹乾法 使用異丙醇的蒸氣乾燥法等 TFT Array 製程關鍵性技術—成膜製程技術(1) 化學方式的電漿化學氣相沉積法(Plasma Chemical Vapor deposition,PCVD) α–Si膜 絕緣膜等 物理方式的濺鍍法(Sputtering) 配線電極 透明顯示電極等導電薄膜 TFT Array 製程關鍵性技術—成膜製程技術(2) 濺鍍法是應用於成長金屬薄膜，主要用途包括閘電極、源電極、汲電極、掃描線、儲存電容電極、信號線、畫像素線等。 導電性的靶材是使用直流式濺鍍法 半導體、絕緣體的成膜則使用高頻的射頻濺鍍法(Radio Frequency Sputtering ，RF) 。 TFT Array 製程關鍵性技術—成膜製程技術(3) TFT Array 製程關鍵性技術—成膜製程技術(4) TFT Array 製程關鍵性技術—成膜製程技術(5) PCVD是應用於成長閘電極絕緣膜、α–Si :H膜、保護膜等。 PCVD基本特性： 即使是玻璃基板