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第二章 芯片贴装与芯片互连 任课教师：刘章生 概述 概述 概述 第二章 芯片贴装与芯片互连 2.1 芯片制备 2.2 芯片贴装 2.3 芯片互连 2.1 芯片制备 2.1 芯片制备 2.1 芯片制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 2.1 芯片制备 晶棒制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 2. 芯片制备 晶圆制备 硅棒制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 硅棒制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 晶圆切片 2.1 芯片制备 晶圆制备 晶圆尺寸 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 临时性地涂覆光刻胶到硅片上； 把设计图形最终转移到硅片上； IC制造中最重要的工艺； 占用40-50%的芯片制造时间； 决定着芯片的最终尺寸. 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 涂胶 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 曝光 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 显影 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 湿法刻蚀 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 刻蚀多晶硅 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 离子注入 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 2.1 芯片制备 芯片切割 2.1 芯片制备 芯片切割 2.1 芯片制备 芯片切割 2.2 芯片贴装 芯片贴装（die mount/bonding/attachment) 目的：实现芯片与底座（chip carrier）的连接. 要求： 机械强度 化学性能稳定 导电、导热 热匹配 可操作性 2.2 芯片贴装（die mount) 2.2.1 共晶粘贴法 2.2.2 焊接粘贴法 2.2.3 导电胶粘贴法 2.2.4 玻璃胶粘贴法 2.2 芯片贴装 2.2.1 共晶粘贴法 2.2 芯片贴装 2.2.1 共晶粘贴法 润湿性的重要性； 预型片的使用（Au-2%Si合金）； 2.2 芯片贴装 2.2.2 焊接粘贴法 所用气氛：热氮气 工艺优点：热传导性好 2.2 芯片贴装 2.2.3 导电胶粘贴法 三种导电胶： （1）各向同性材料； （2）导电硅橡胶； （3）各向异性导电聚合物。 共同点：表面形成化学结合和导电功能。 2.2 芯片贴装 2.2.3 导电胶粘贴法 2.2 芯片贴装 2.2.3 导电胶粘贴法 芯片粘结剂： 环氧树脂；聚酰亚胺；硅氧烷聚酰亚胺。 填充料： 银颗粒或者银薄片（75-80%） 使用考虑因素： 流动性；粘着性；热传导性；电导性；玻璃化转变温度；吸水性. 2.2 芯片贴装 2.2.4 玻璃胶粘贴法 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3.2 载带自动键合技术(TAB) 2.3.3 倒装芯片键合技术(FCB/C4) 2.3 芯片互连 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 主要的打线键合技术： . 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 打线键合的线材 铝线：铝-1%硅合金； 0.5-1%镁的铝线； 铝镁硅合金或铝铜合金. 金线： 含5-100ppm 铍 含30-100ppm 铜 其他线材： 银线，铜线 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 影响因素： 金铝金属间化合物（AuAl2或Au5Al2)是 主因； 线材、键合点与金属间化合物之间的交互扩散产生的孔洞； 其他，键合点金属化工艺与封装材料之间的反应，亦可生成金属间化合物。 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 键合拉力测试 键合剪切力测试 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术 2.3.2.1 TAB的关键技术 2.3.2.2 TAB技术的关键材料 2.3.2.3 TAB的特点 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术 2.3.2.1 TAB的关键技术 （1）芯片凸点制作技术 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术 2.3.2.1 TAB的关键技术 （1）芯片凸点制作技术 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术 2.3.2.1 TAB的关键技术 （1）芯片凸点制作技术 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术 2.3.2.1 TAB的关键技术 （2）TAB载带制作技术 单层带（Cu箔）--工艺简单； 热稳定性好，价位低；不能