薄膜技术与材料-第四章.pptVIP

第四章 溅射镀膜法 定义：溅射是离子轰击物质表面，并在碰撞过程中发生动能与动量的转移，从而将物质表面原子激发出来的过程。 一. 溅射产额 溅射产额是被溅射出来的原子数与入射离子数之比，是衡量溅射过程效率的参数。 1. 入射离子能量 能量域值（10?40eV） 图4.1 Ni的溅射产额与入射离子种类和能量之间的关系 2. 入射离子种类和被溅射物质种类 图4.3 Ar离子在400KV加速电压下对各种元素的溅射产额 3. 离子入射角度对溅射产额的影响 图4.5 原子溅射方向的欠余弦分布 二. 合金的溅射和沉积 溅射制膜的化学成分与靶材基本一致。 1. 元素溅射产额 元素平衡蒸汽压 2. 源材料在工作过程中的情况 三. 溅射沉积装置 直流溅射 图4.6 直流溅射沉积装置示意图 优点：装置简单，容易控制，制膜重复性好（P，U，I）。 缺点： 1) 工作气压高(10~2 Torr)扩散泵不起作用； 2) 沉积速率低； 3) 基片升温高(U?几千伏，J?0.2-1mA, d?) 图4.7 溅射沉积速率与工作气压间的关系 2. 射频溅射 2) 磁控溅射的特点： (a) 二次电子以园滚线的形式在靶上循环运动，路程足够长，电子使原子电离的机会增加。 (b) 提高了电离效率，工作气压可降低到10-3?10-4 Torr，减少了工作气体与溅射原子的散射作用，提高了沉积速率。 (c) 高密度等离子体被电磁场束缚在靶面附近，不与基片接触。这样，电离产生的正离子能有效地轰击靶面；基片又免受等离子体地轰击，制膜过程中温升较小。 4. 反应溅射 反应气体：如 O2, N2, NH3, CH4, H2S 氧化物，如 Al2O3, SiO2, In2O3, SnO2 碳化物，如 SiC, WC, TiC, DLC 氮化物，如 TiN, AlN, Si3N4 硫化物，如 CdS, ZnS, CuS 介绍第四种材料 * * 图4.2 不同入射离子在45KV加速电压下对Ag的溅射产额 图4.4 溅射产额 随离子入射角度 的变化 1) 射频频率：13.56 MHz 2) 射频溅射可制备绝缘介质薄膜 3) 射频溅射的负偏压作用(图4.9) 3. 磁控溅射 1) 磁控溅射的原理和装置 (图4.10)