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                不锈钢成长奈米碳管电极之制作及研究1概述-交通大学
                    
        三、不銹鋼成長奈米碳管電極之製作及研究 
 3.1 實驗概述 
     由於碳材料具有多種同素異型體 (如石墨、鑽石 、奈米碳管…), 
  多種不同的型態 (如粉末狀、纖維狀 、複合材 …)以及不同石墨化程 
 度所產生的微結構差異 (規則 、不規則 排列) ,因此在電化學方面適 
合作為電能儲存方面的應用性材料。 
     碳管具有與石墨同等級而優良的特性  ,如高比表面積 、耐高溫、 
 耐腐蝕 、良 好的導電性及導熱性 、高溫強度 、不易對環境造成污染 以 
 及自有的潤滑性等諸多綜合性能 ,更 加適用於電雙層電容器之儲能的 
 材料 。過 去已有利用奈米碳管製備電雙層電容器的研究及發展 ,但鮮 
  少採用在電極材料上直接成長的模式 ,本文利用 316型不繡鋼片 (厚 
 度 0.2mm )作 集電板 ,於微波電漿化學沉積系統 (MWCVD )上利用 
                 【  ,  】 
 VLS成長模式 26         27  直接在不繡鋼材上成長奈米碳管 ,如 此不但簡化 
電極層的製備過程,同時降低電極與集電板間的電阻。 
     除此之外以  316型不繡鋼作為集電板 則, 不繡鋼本身既是成長奈 
  米碳管的觸媒源 故, 有自我催化的作用 ,實驗中主要探討不經酸化 以 
 及酸化的各個不種條件下 所, 產生的電極材料物性與結構的變化 ,並 
評估製成電化學電容器時,對於電容效應的影響。 
                                      29 
3.2 實驗流程 
本實驗主要分成兩個部份 :(1)材料物性及結構分析 (2 )電性量測 
材料物性及結構分析如圖 3.1 : 
  (一)材料物性及結構分析 
                          圖  3.1實驗流程圖一 
                                      30 
單電容器( single cell )的電性量測如下圖3.2  : 
    (二)電性量測 
                                     圖  3.2實驗流程圖二 
                                                       31 
 3.3 實驗材料 
       本實驗所採用的碳管為實驗室微波電漿化學沉積系統(圖 3.3 ) 
所自行製備  ,集電板及觸媒源是採用可耐酸鹼之 316 不繡鋼片 (厚度 
 0.2mm ) ,隔離膜為市面一般的宣紙。所採用的電解液為含有 GBL 
   ( 
    gamma-hydroxybutyric acid )的離子溶液。 
 3.4 實驗設備 
 微波電漿化學氣相沉積系統: IDX 東京電子(株) 
 超音波震盪器:DELTA                 D150H 
 加熱器:CORNING Stirrer/Hot Plate 
 恆溫控制器:ANC-607 
電化學測試儀: CH Instruments Model 600B Series 
 3.5 實驗藥品 
硝酸( HNO  ),島久藥品株式會社,EP1級,純度67~71% 
               3 
 酒精( Alcohol ),和光純藥工業株式會社,EP1級,清潔用 
  丙酮(Acetone ),和光純藥工業株式會社,EP1級,清潔用 
 GBL ion solution  ,IP2 嘉茂 
氫氣,洽隆企業有限公司,純度 95% 
甲烷,洽隆企業有限公司,純度 99.99% 
                                       32 
 3.6 實驗製作說明 
 3.6.1碳管電極製作 
     不繡鋼底材在系統真空的條件下,通入氫氣40sccm  ,微波功率 
 300W ,壓力10torr ,氫電漿前處理 10分鐘 ;再通入 H /CH =40/10  ,功 
                                                           2    4 
 率400W ,壓力15torr ,偏壓條件分別是 DC 0V 、+200V 、-200V ,成長 
 奈米碳管電極。在溫度80℃的條件下,利用硝酸( HNO3 )進行酸化 
處理,進行時間分別是 30min 、60min 、90min 、2Hr 。 
 表3-1碳電極樣本之製備條件; 
    樣品編號                                 成長條件  
        S10                      H
                
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