利用背后曝光和电铸技术制作金属与高分子的堆叠微结构.pdfVIP

中國機械工程學會第二十一屆全國學術研討會論文集 利用背後曝光和電鑄技術製作金屬與高分子的堆疊微結構 洪益智，張維哲，鍾震桂 國立成功大學機械工程學糸 國科會計劃編號：NSC 92-2212-E-006-125 摘要 不容易取得，造成製作成本上較昂貴[2] ；2002 年F. G. 本文利用LIGA-like 技術、背後曝光與電鑄技術， Tseng 等，利用CK6020L 吸光層材料 (anti-reflection) 來製造金屬與高分子堆疊所形成的堆疊微結構，可以 來降低在製作多層的堆疊結構時曝光光源反射的現 應用在積體化流體微結構或 buried channel 的設計 象，可使高分子流道有較垂直的側壁[3] ；2004 年 上。簡化傳統的高分子與金屬間結合需要接合，包括 Kabseog Kim 利用背後曝光與電鑄技術製作金屬微針 金屬孔洞薄版與高分子流道腔室，具有提高層與層堆 頭結構[4] 。綜合以上各種製程，其製作積體化(金屬與 疊時的平整度及降低熱效應等優點。兩種不同技術所 高分子)堆疊結構有以下幾種問題：1. 光阻經曝光以 製作的厚光阻，包括背後曝光之 SU8 和正面曝光之 後會有收縮 (shrinkage) 的現象，造成其後續塗佈其 JSR THB-130N 並在中間塗佈一層隔有吸熱且可抗反 他材料的不均勻分佈，導致其積體化堆疊結構不平 射材料，和一次的鎳電鑄製程，背後曝光技術將對於 整；2. 厚膜光阻曝光，易造成紫外光經底部反射，造 腔體結構的平整度與電鑄所需的厚光阻柱狀模仁種 成其側壁不垂直，故需要塗佈抗反射層(anti-reflection) 類，對此高分子與金屬堆疊微結構的形成有很大的影 材料；3. 在金屬化製程中，蒸鍍高溫的金屬原子於光 響。 阻基板時，會造成高分子變質或鏈結(crosslink) ，故需 要有吸熱層材料，來保護前製程的光阻基板；4.利用 關鍵詞：背後曝光(backside exposure)厚光阻（thick 微電鑄技術製作金屬噴孔，其噴孔的電鑄品質受所使 photoresist ）、電鑄（electroforming ）、堆疊微結構 用定義圖案的光阻種類、電流密度、時間及鍍浴參數 ( stacked microstructure) 所影響。本文將以金屬與高分子的堆疊微結構為主 軸，藉著結合背後與正面曝光的兩次厚光阻，SU-8 1. 前言 2010 和JSR THB-130N 及一次精密電鑄技術，製作出 以LIGA 或類LIGA 技術製作高分子或金屬的微 高分子與金屬堆疊的微流道結構，並比較兩種曝光技 流體結構或 buried channel 使用非常普遍，如：1997 術效果差異，及正反曝光技術之良窳，其製作出的微 年L. J. Gucrin 等，在製作微流道結構時添加填補材料 流道結構，主要優勢有：高平整度的堆疊結構及降低 (filling material) ，來改善第一層SU-8 曝光後產生收 熱效應等，在此實驗的前期研究以得知，第二層的光 縮 (shrinkage) 的現象，造成第二層堆疊結構的影響 阻材料將會造成噴孔的品質好壞，故在此我們選用 [1]；2001 年Francis E H 等以質子束 (proton beam) 光 JSR 130N 負型光阻來製作鎳噴孔之母模[5] 。 微影的方法，藉著控制不同的曝光能量在單一層光阻 上，製作出堆疊之微流道結構，但其本身質子光束並 2