使电流均匀分布高透光率.pptVIP

L.E.D. 原理及特性討論 晶片三甲 陳仁和OUTLINE 前 言 原 理 結 構 藍光LED特性討論 未來目標 結 論 參 考 文 獻 前言 近年來，歐美和日本等國基於節約能源與環境保護的共識，皆決定選擇白光發光二極體作為二十一世紀照明的新光源。再加上目前許多國家的能源都仰賴進口，使得它在照明市場上的發展極具價值。根據專家評估，日本若是將所有白熾燈以白光發光二極體取代，則每年可省下 1 ~ 2 座發電廠的發電量，間接減少的耗油量達 10 億公升，而且在發電過程中所排放的二氧化碳也會減少，進而抑制了溫室效應。 優點 發光效率高 使用壽命長 不易破損 可調整光之強弱 耗電量少 環保無汞 低電壓.安全性高 體積小 .可塑性強,可施工在任何造型上 光源具方向性 色域豐富(波長可控制) 缺點 散熱問題 ,不利於使用在高溫環境中 需再設計控制電路 目前成本較高(專利保護) LED發光原理 → 發光的波長，及其顏色，是由主動區(MQW)的能隙寬度所決定。 λ(nm) = 1240 / Eg 結構 藍光LED特性討論 電壓電流關係(I-V特性) L-I(電流與發光強度相對關係) EL強度圖 藍移紅移 I-V(電壓電流關係圖) L-I(電流與發光強度相對關係) EL強度圖 藍移紅移 未來目標 在藍光晶粒上塗一層螢光粉，利用藍光LED激發螢光粉，以產生與藍光互補波長的黃光，將互補的黃光和藍光予以混合，得到所需的白光。 量測並探討此白光LED之特性與討論 參考文獻 / /light-3.htm /~schubert/Light-Emitting-Diodes-dot-org/ * * 發光波長 能隙寬度 Ec Ev (直接能隙) (輻射復合) 順偏 使電流均勻分佈,高透光率 Sapphire substrate GaN buffer layer n-GaN InGaN/GaN MQW p-GaN ITO n-electrode(電極) p-elecrode (電極) 使電子及電洞 更容易侷限在一起 提供h + 提供e - 降低基板與n-GaN之間 因晶格差異所產生的應力 基板 20nm/50nm 約0.2μm 約2μm Quantun barrier (GaN) Multiple Quantum Well Quantun Well (InGaN) § 多重量子井示意圖 約3.25v 電 流 加 至160mA 時 達 到 飽 和 。 若 注 入 電 流 持 續 增 加 ,則 多 餘 能 量 轉 成 非 輻 射 復 合 ; 相 對 發 光 強 度 降 低 。 約344(mcd) (460,2806) (450,1403) (470,1403) FWHM = ( 450 + 470 ) = 20(nm) 半高寬值越小 , 表示此 LED chip 結晶品質越好,出光純度越佳 Blue shift Red shift Blue shift by Band Filling Effect Quantum Confined Stark Effect Red shift by Thermal Effect