2012半导体物理第一章节2课件(25238KB).pptVIP

重空穴带的极大值偏离布里渊区中心，偏离距离约0.3％。其能值比k=0处的能量高 ，这两个值很小,可以认为价带极大值位于k＝0。 自旋-轨道裂距约为0.9ev。 室温下 Eg(RT)= 0.18ev Eg(0)=0.2355ev 锑化铟能带结构和简单(近理想)能带模型相似，极值位于布里渊区中心. 图锑化铟沿[111]方向 能带结构 1．7．2砷化镓的能带结构 导带极小值位于k=0(Γ)处，等能面是球面. 导带底电子有效质量为0.067m0. 在[110]和[100]方向布里渊区边界L和X处各有一个 极小值，电子的有效质量分别为0.55和0.85m0 . 室温下，Γ、L、X三个极小值与价带顶的能量差 分别为1.424ev，1.708ev和1.900ev. L极小值的能量比布电渊区中心极小值的约高 0.29ev。 砷化镓价带有一重空穴带V1，一轻空穴带V2和自旋—轨道耦合分裂出的第三个能带V3.重空穴带极大值也稍许偏离 。 重空穴有效质量为0.45m0 , 轻空穴有效质量为0.082 m0 ， 第三个能带的裂距为0.34ev,