磁电感应式传感器.PPT

表7-1 常用国产霍尔元件的技术参数 2. 霍尔元件基本结构 结构:由霍尔片、四根引线和壳体组成的（图7-10（a） ） 。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片， 引出四根引线： 1、 1′—激励电极（控制电极）,加激励电压或电流； 2、 2′—霍尔电极, 霍尔输出引线。 霍尔元件的壳体:用非导磁金属、 陶瓷或环氧树脂封装的。 图7-10 霍尔元件 （a） 外形结构示意图 （b） 图形符号 2 3. 霍尔元件基本特性 (1) 额定激励电流和最大允许激励电流 额定激励电流:当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流。 最大允许激励电流:以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为～。 因霍尔电势随激励电流增加而线性增加→使用中选用尽可能大的激励电流→需要知道元件的最大允许激励电流。 改善霍尔元件的散热条件，可以使激励电流增加。 (2） 输入电阻和输出电阻 输入电阻:激励电极间的电阻值称为～。 输出电阻:霍尔电极输出电势对电路外部来说相当于一个电压源，其电源内阻即为～。 以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在20℃±5℃时所确定的。 (3） 不等位电势和不等位电阻 不等位电势:空载霍尔电势称为～。 当激励电流为I时，若元件所处位置磁感应强度为零， 则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零（图7-11 ）。 原因： ①霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上；  ②半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀 ③激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 图7-11 不等位电势示意图 不等位电阻:用不等位电势与I的比值表示， 即 （7-19） 式中： U0——不等位电势；  r0——不等位电阻；  I——激励电流。 不等位电势就是激励电流流经不等位电阻r0所产生的电压， 如图7-11所示。 (4） 寄生直流电势 寄生直流电势:在外加磁场为零、用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称为～。 原因：① 激励电极与霍尔电极接触不良， 形成非欧姆接触， 造成整流效果；  ② 两个霍尔电极大小不对称，则两个电极点的热容不同， 散热状态不同而形成极间温差电势。  寄生直流电势一般在1mV以下，是影响霍尔片温漂的原因之一 (5） 霍尔电势温度系数 霍尔电势温度系数:在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为～。它同时也是霍尔系数的温度系数。  4. 霍尔元件不等位电势补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势， 而实用中要消除不等位电势是极其困难的，因而必须采用补偿的方法。 分析不等位电势时，可以把霍尔元件等效为一个电桥， 用分析电桥平衡来补偿不等位电势。 霍尔元件的等效电路 A、B为霍尔电极,电极分布电阻分别为r1、r2 C、D为激励电极,电极分布电阻分别为r3、r4，电桥的四个桥臂。 理想情况下，电极A、B处于同一等位面上， r1= r2= r3= r4 ，电桥平衡，不等位电势U0为0。 实际上，由于A、 B电极不在同一等位面上，此四个电阻阻值不相等，电桥不平衡，不等位电势不等于零。 可根据A、 B两点电位的高低，判断应在某一桥臂上并联一定的电阻，使电桥达到平衡， 从而使不等位电势为零。 图7-12 霍尔元件 的等效电路 图7-13 不等位电势补偿电路 几种补偿线路 图（a）、 （b）为常见的补偿电路， 图（b）、（c）相当于在等效电桥的两个桥臂上同时并联电阻 图（d）用于交流供电的情况。 5. 霍尔元件温度补偿 温度误差:霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时，霍尔元件的载流子浓度、 迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化，从而使霍尔元件产生温度误差。  补偿措施: ①选用温度系数小的元件或采用恒温措施， ②由UH=KHIB→采用恒流源供电是个有效措施，可以使霍尔电势稳定。但也只能是减小由于输入电阻随温度变化所引起的激励电流I的变化的影响。 灵敏系数KH也是温度的函数，随温度变化→霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可写成 KH=KH0(1+αΔT) ? （7-20） 式中： KH0——温度T0时的KH值；  