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新结构D形光纤消逝场传感器-光学精密工程
第 卷 第 期 光学 精密工程
16 10
Vol.16 No.10
O ticsandPrecisionEnineerin
年 月 p g g
2008 10 Oct.2008
文章编号 ( )
1004924X200810193606
新结构 形光纤消逝场传感器
D
,
12 1 1 1
庄须叶 ,吴一辉 ,王淑荣 ,宣 明
( 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室,吉林 长春 ;
1. 130033
2.中国科学院 研究生院,北京100039)
摘要:为提高 形光纤消逝场传感器的灵敏度并改进制作工艺,对 形光纤的结构和制作方法进行了研究。通过加大
D D D
形光纤的研磨深度,增大了传感器的有效探测面积,并使消逝场能量可以直接与被测物质作用,避免了能量耦合的损耗,
提高了传感器的灵敏度。提出了采用机械研磨制作 形光纤的新方法,降低了制作成本。改进结构后, 形光纤消逝场
D D
传感器的灵敏度比旧结构传感器的灵敏度提高了 个数量级,是具有相同光程长度的直接光探测方法的 倍。测量
3 1.2
亚甲基蓝时的灵敏度达到 ,最低测量浓度在 -7 / 数量级,传感器的响应速度快,适合实时检测。结果表
0.0435 10 molL
明,改进结构的 形光纤传感器灵敏度高,可以实时地反映被测物的浓度变化。
D
关 键 词: 形光纤;光纤消逝场传感器;高灵敏度
D
中图分类号: ; 文献标识码:
TN253TP212.2 A
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12 1
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