集成电路制造工艺 教学课件 ppt 作者 刘新 彭勇 蒲大雁 主编 第11章 掺杂工艺.pptVIP

第11章 掺杂工艺 本章的学习目标： 1.了解掺杂的作用。 2.掌握扩撒原理及工艺操作流程。 3.掌握扩散参数的测量方法。 4.掌握离子注入原理。 5.掌握离子注入机的组成。 6.掌握沟道效应和退火效应。 7.了解离子注入的应用。 * 11.1 掺杂 掺杂的目的就是改变半导体的导电类型，形成N型区或P型区，以形成PN结和各种半导体器件，从而形成半导体集成电路；或改变材料的电导率。 掺杂的方法有两种：热扩散和离子注入。热扩散法是最早使用也是最简单的掺杂工艺；随着VLSI超精细加工技术的发展，现已成为各种半导体掺杂和注入隔离的主流技术。离子注入是通过把杂质离子变成高能离子来轰击衬底，从而把杂质注入到半导体衬底中的掺杂方法。 * 掺杂的工艺流程 在掺杂之前在半导体衬底表面生长一层掩蔽膜（这层掩蔽膜具有阻挡杂质向半导体衬底中扩散的能力），然后对掩蔽膜进行光刻和刻蚀，去掉衬底上面待掺杂区域的掩蔽膜，不掺杂区域的掩蔽膜要保留下来，得到选择扩散窗口。然后放入高温扩散炉中进行掺杂，则在窗口区就可以向半导体衬底中扩散杂质，其他区域被掩蔽膜屏蔽，没有杂质进入，实现对半导体衬底中的选择性扩散。 图12-1 掺杂工艺流程 * 11.2 扩散 1. 扩散原理 扩散是物质的一个基本性质，原子、分子和离子都会从高浓度向低浓度处进行扩散运动。一种物质向另一种物质发生扩散运动需满足两个基本条件：第一有浓度差；第二提供足够的能量使物质进行扩散。在半导体制造中，利用高温热能使杂质扩散到半导体衬底中。 （1）扩散机制 图11-2 杂质在硅晶体中的扩散机制 * （2）扩散的工艺步骤 开启扩散炉平衡温度；清除wafer表面的杂质及自然氧化层；将wafer送入扩散炉中，开始预淀积；升高炉温，推进并激活杂质；取出wafer，测量扩散层的电阻和结深。 （3）液态源扩散 图11-3 液态源扩散系统 * （4）固态源扩散 固态源扩散具有设备简单、操作方便、不需要盛放杂质源的器具和携带杂质源的气体、气体流量不会影响扩散结果、扩散效果好等优点。 （3）固-固扩散 固-固扩散是利用wafer表面含有所需杂质的氧化层作为杂质源进行扩散的方法，可得到均匀性、重复性较好的结，比较适合对于表面杂质浓度要求很严的扩散。 扩散分两步进行。第一步在低温（约700～800℃）下淀积包含杂质的氧化层。第二步，升高反应温度，使表面的氧化层与硅反应生成杂质原子，开始再分布扩散，达到预期目的 。 * 2. 扩散参数的测量 （1）扩散层电阻的测量 扩散层电阻即方块电阻。对于一块均匀的导体，其导电能力与材料的电阻率ρ、长度L以及横截面积S都有关。若扩散薄层是边长为a的正方形，而结深为Xj，则这一小方块所呈现的电阻就是方块电阻，单位为Ω/□。 图11-6 四探针法测方块电阻 * （2）结深的测量 集成电路的结深位于微米数量级，所以测量比较困难，通常采用磨角法和滚槽法测量。 磨角法是将完成扩散的wafer磨出一个的斜面（角度约为1°～5°），对磨出的斜面进行染色，然后测量计算得到结深。 磨角法测量存在一定的误差，尤其对于浅结，磨角法很难精确测量，所以，要精确测量结深还要采用滚槽法测量 图11-7 磨角法测量结深 图11-8 滚槽法测量结深 *