原子沉积技术方法研究-陈蓉-DZ-modified.pptVIP

ALD制备的薄膜 II-VI化合物 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnS1-xSex, CaS, SrS, BaS, SrS1-xSex, CdS, CdTe, MnTe, HgTe, Hg1-xCdxTe, Cd1-xMnxTe II-VI基TFEL磷光材料 ZnS:M (M=Mn, Tb, Tm), CaS:M (M=Eu, Ce, Tb, Pb), SrS:M (M=Ce, Tb, Pb, Mn, Cu) III-V化合物 GaAs, AlAs, AlP, InP, GaP, InAs, AlxGa1-xAs, GaxIn1-xAs, GaxIn1-xP 氮（碳）化物 半导体/介电材料 AlN, GaN, InN, SiNx 导体 TiN(C), TaN(C), Ta3N5, NbN(C), MoN(C) 氧化物 介电层 Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, MgO, CeO2, SiO2, La2O3, SrTiO3, BaTiO3 透明导体/半导体 In2O3, In2O3:Sn, I2O3:F, In2O3:Zr, SnO2, SnO2:Sb, ZnO, ZnO:Al, Ga2O3, NiO, CoOx 超导材料 YB2Cu3O7-x 其他三元材料 LaCoO3, LaNiO3 氟化物 CaF, SrF, ZnF 单质材料 Si, Ge, Cu, Mo, Pt, W, Co, Fe, Ni, Ru 其他 La2S3, PbS, In2S3, CuGaS2, SiC ANML 原子沉积技术研究 LAMD 太阳能电池技术发展的薄膜要求 ALD在新能源领域 高转换效率需要对厚度精确可控 1. 厚度可控 2. 稳定性好 延长使用寿命需要薄膜具有搞的稳定性 使用新型有机衬底只适合于低温沉积 3. 低温沉积 原子沉积技术研究 其他纳米结构-纳米颗粒 具有催化活性的纳米金 1~6 nm 钯金纳米催化剂示意图 表层为钯原子 次表层为金原子 横截面 近表面合金示意图 合金元素集中分布在表面 ANML 原子沉积技术研究 经过区域钝化处理的表面 材料A的生长 材料B的生长 组分控制 尺寸控制 理论和实验均表明，纳米颗粒的催化、储能性能和尺寸、组分、形貌有密切关系； 利用选择性ALD可以精准的控制尺寸、组分、及分布。 目录 1. 先进制造计划 2. 原子沉积技术研究 3. 科学挑战 ANML 科学挑战 通过材料理性设计与实验相结合，不断寻找合适前驱体，尤其是过渡金属/金属氧化物的相关活性前驱体。 通过设备改进与创新，以及批量处理克服这一难题。 沉积速度慢 需要合适的前驱体 目前无适合大面积生产的方案 ALD在半导体行业已取得大规模的工业应用，而进一步应用到大面积薄膜制备（例如太阳能，显示器等），则需要设备方面的创新，开发低真空或无需真空的ALD 技术，从而不断推动其在工业生产中的应用。 ANML ANML 前驱体设计 通过理论计算调整配体取代基来改变前驱体的稳定性： 哈佛大学Gordon教授合成出了一类新型的烃胺金属配合物前驱体bis-amidinate，计算结果表明这类前驱体的稳定性可以通过改变配体取代基加以调整。 体积较大的取代基(如叔丁基)能够稳定bis-amidinate 型前驱体分子, 而小体积取代基(如异丙基、2-丁基)更容易发生β-H 的迁移而使前驱体重排分解 ANML A B C 计算模拟判断不同前驱体的形成薄膜的形式： 利用对比，通过第一性原理计算和分子动力学，分别计算前驱体A与羟基B和羟基C的反应势垒来判断前驱体更喜欢以哪种方式生长薄膜。 成膜微观机理研究 自主设计ALD设备 ANML 原型设计 实体组装 ANML 利用气流来控制常压反应腔内不同前驱体间的隔离密封； 通过气流和驱动轴精确控制基底与气体喷嘴之间的距离，实现两个半反应内由气体隔离； 通过微间隙的动态协调机制，实现基底与气体源头间距的自动调整，以保证不同基底材料表面最佳气流效应； 用空间上的位移来取代时间上的清洗间隔，大大提高产率。 非真空ALD体系原理研究 载气入口 前驱体A 前驱体B 基底移动方向 废气出口 LOGO 原子沉积技术研究 ANML 陈蓉 2011-12-09 目录 1. 先进制造计划 2. 原子沉积技术研究 3. 科学挑战 ANML 目录 1. 先进制造计划 2. 原子沉积技术研究 3. 科学挑战 ANML 大规模集成电路不仅在对民用设备如电视机、计算机等的发展起到重要的作用，同时在军事、通讯、航空航天等高科技领域也得到广泛的应用。 2010年行业总产值达2378.6亿元，同比增长35.5%，GDP占有率增至0.6%。 21世纪随着新材料技术的发展，集