第八章节：表面与界面.pptVIP

概念：固体浸入液体中的过程，固/液界面代替固/气界面。相应自由能变化：若 gSV gSL，浸渍润湿过程自发进行。若 gSV gSL，固体浸于液体必须做功。总结：● 三种润湿的共同点是液体将气体从固体表面排开，使原有 的固/气(或液/气)界面消失，以固/液界面取代。● 铺展是润湿的最高标准，能铺展则必能附着和浸渍。● 润湿性主要取决于gSV、gSL和gLV 的相对大小。 浸渍润湿 表面粗糙和污染时，对润湿过程会产生影响。从热力学平衡考虑，界面位置的微小移动所产生的界面能的净变化应为零。设固体表面从图中的A点推进到B点，固/液界面积扩大了dS ，而固体表面减小了dS，液/气界面则增加了dScosθ，平衡时有： 表面粗糙度对润湿的影响 n 真实固体表面的润湿 对表面粗糙度系数为n的实际表面，可认为比表观面积大n倍。当界面位置由A‘移到B’点，真实表面积增大了ndS，固气界面减小了ndS ，而液气界面积则增大了dScosqn，于是有：   由于n大于1，故qn 和q的关系按图所示的余弦曲线变化。q 90o， q qn ； q = 90o， q = qn ；q 90o， q qn。结论：润湿时，粗糙度越大，表观接触角越小，更易润湿。不润湿时，粗糙度越大，越不利于润湿。 3.3 界面结构晶界结构理论的概述 ● 小角晶界：两晶粒间的位向差小于10o； 大角晶界：位向差超过10o。● 小角晶界又可分：倾转晶界（一系列刃位错构成） 扭转晶界（螺位错构成）● 对称倾转晶界对称倾转晶界可以看作是取向一致的两个晶体相互倾转q/2角形成的界面。  对称倾转晶界和扭转晶界 3.3.1 小角晶界及界面能 位错间距D 与柏氏矢量b 的关系： 当q很小，sin（q/2）≈q/2，于是： D = b/q 上式看出，θ较大时D 就会变得很小，致使位错中心发生重叠，因此该模型仅适用小角晶界。 对称倾转晶界的位错模型 对称倾转晶界的位错模型 非对称倾转晶界，如任意的(h k 0 )面，需要用柏氏矢量分别为[100]及[010]的两组平行的刃位错来表示。设(h k 0 )面和[100]方向的夹角为f，沿AC单位距离内两种位错的数目分别为：得两组位错的间距分别为： 不对称倾转晶界的位错模型 （简单立方晶格） ├ ├ 不对称倾转晶界 q f 旋转轴垂直于晶界平面，形成扭转晶界。如图是[001]方向为旋转轴的扭转晶界位错模型。图中晶界两侧的原子一部分重合，另一部分不重合形成螺位错。整个扭转晶界是由两组交叉的螺位错构成的网格，一组平行[100]，另一组平行于[010]，倾转晶界和扭转晶界是晶界模型的两种简单形式。对一般晶界，旋转轴和晶界可以有任意的取向。 扭转晶界的位错模型 扭转晶界 小角晶界界面能：是晶界上所有位错的总能量。对倾转晶界，界面能是一系列同号位错产生的位错应变能。单位长度刃位错能量为： G 剪切模量，b 柏氏矢量，ν泊松比，Ec 位错中心能量，D 位错间距。设同号刃位错间不存在滑移矢量方向上的交互作用，每个位错上方是压应力，下方是拉应力，在直径为D 的圆周外，位错的应力场彼此抵消，即位错应力场的极限距离为D。对应单位长度上晶界的位错密度为1/D (=q/b )，则晶界单位面积界面能γgb 与位错能量的关系： ● 小角度晶界能 或写成： 式中以γgb/q - lnq 作图，直线的斜率即为-γ0 ，截距为γ0 A 。以γgb-q作图，曲线特点如下：● q = 0， lnq →0，得到γgb= 0 。● 斜率 dγgb/dq =γ0(A-1-lnq )，随q增加斜率减小。● γgb 的最大值(γgb )m 对应q为qm： dγgb/dq = 0 =γ0 (A－1－lnqm )，qm = exp(A－1)