第10章--半导体器件.pptVIP

ICM U(BR)CEO 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O ICUCE = PCM 安全工作区 晶体管参数与温度的关系 1. 温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优于 锗管。 2.温度每升高1?C，UBE将减小–(2~2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3. 温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 3DG201的含义？ NPN型硅材料高频小功率管 三 极 管 的 型 号 半导体器件的型号命名法： 3DD15D的含义？ NPN型硅材料低频大功率管 三 极 管 的 型 号 半导体器件的型号命名法： 三 极 管 的 型 号 2 S C 945 A 的含义？ 2：三极管1：二极管 注册登记号 A： PNP高频管B： PNP低频管C： NPN高频管D： NPN低频管 S：已注册 改进型 日本 三 极 管 的 型 号 1 N 4728 的含义？ 1：二极管2：三极管 注册登记号 N：已注册 美国 让我们一起来做课堂练习吧 ！ 课 堂 练 习 三极管制造工艺上的特点是： 发射区________ ，基区________，集电区________ 。 （掺杂浓度高，很薄，面积较大） 三极管工作在放大区时 , 发射结应________ ，集电结应________。 （