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Si—SiGe材料三维CMOS集成电路技术研究.doc
Si—SiGe材料三维CMOS集成电路技术研究
第28卷第5期
2007年5月
半导体
CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCToRS
Vo1.28No.5
May,2007
StudyonSi—SiGeThree-DimensionalCMOSIntegratedCircuits
HuHuiyong,ZhangHeming,JiaXinzhang,DaiXianying,andXuanRongxi
(KeyLaboratoryoftheMinistryofEducationfo,WideBand—GapSemiconductorMaterialsandDevices,
SchoolofMicroelectronics,XidianUniversity,an710071,China)
Abstract±BasedonthephysicalcharacteristicsofSiGematerial,anewthree—dimensional(3D)CMoSICstruc—
tureisproposed.inwhichthefirstdevicelayerismadeofSimaterialfornMOSdevicesandtheseconddevicelay—
erismadeofSiGel-materialforpMOS.TheintrinsicperformanceofICswiththenewstructureisthenlimited
bySinMOS.TheelectricalcharacteristicsofaSi—SiGe3DCMOSdeviceandinverterareallsimulatedandana—
lyzedbvMEDICI.ThesimulationresultsindicatethattheSi—SiGe3DCMOSICsarefasterthantheSi-Si3D
CMoSICs.Thedelaytimeofthe3DSi—SiGeCMOSinverteris2～3ps,whichisshorterthanthatofthe3DSi—Si
CMoSinverter.
Keywords:Si—SiGe;three-dimensional;CMOS;integratedcircuits
PACC:7320D;7360T
CLCnllmber:TN432Documentcode:AArticleID:0253—4177(2007)05—0681-05
1Introduction
withthedramaticdevelopmentsinsemlcon-
ductortechnologyandcircuitdesign,moresophis-
ticatedsystemshavebeenimplementedonasingle
chip.Someinsurmountableproblemshaveap.
pearedinfabricatinghigherspeedandperform-
anceplanarchipswithdecreaseddeviceareaand
shortenedinterconnects.Forexample,thesmaller
chipsizeresultsinamoredistinctquantum
effect,andhigherchipintegrationcausesmore
problemscomingfromtheincreasedself-heating
andheat.dissipation[～引.Fercon.
nectdelaybecomesmoreconsiderableinthe
wholecircuitsdelaytimewithdecreasingdevice
area[
.Adoptingthree-dimensional(3D)inte-
gratedcircuits(ICs)couldsignificantlyshorten
thelengthofinterconnectsbyinterconnectingin
theverticaldirection,thusimprovingthespeed
performanceofICs.
Theideaofstackingtransistorsontopofoth-
erstoformathree-dimensionalintegratedcircuit
isnotanewconcept,butuptonow,3Dstacking
techniqueshavejustbeenusedtorealizehigh-den-
sitymemorymodules.Thisismainlyd
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