第四章-光源与光探测器.ppt

F-P腔激光器的基本原理 量子阱半导体激光器： 超晶格量子阱半导体激光器的特性： 阈值电流低； 波长可调谐； 线宽窄，频率啁啾低； 调制速率高； 温度稳定性强。 4．垂直腔面发射激光器（VCSEL ） VCSEL激光器的结构 （3）暗电流 理想条件下，当没有光照射时，光电检测器应无光电流输出。但是实际上由于热激励、宇宙射线或放射性物质的激励，在无光情况下，光电检测器仍有电流输出，这种电流称为暗电流。严格地说，暗电流还应包括器件表面的漏电流。 暗电流是PIN光电二极管附加噪声的主要来源，影响光接收机的灵敏度，所以暗电流越小越好，但是由于PIN光电二极管本身没有光放大作用，加上其暗电流甚小，本身产生的附加噪声很低，所以对光接收机灵敏度产生的影响并不显著。 §4-6 半导体光电检测器 （4）噪声 噪声是光电二极管很重要的参数，直接影响光接收的灵敏度。噪声包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声（shot noise），以及由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声。 噪声的表示方法： 噪声通常用均方噪声电流（在1Ω负载上消耗的噪声功率）来描述。→功率 噪声等效功率NEP：是指产生等于探测器或接收机均方根噪声的电流所需的输入功率。定义为SNR=1时，每单位带宽的最小光功率，并由NEP=Pin/(△f)1/2表示。 §4-6 半导体光电检测器 NEP是产生探测器平均噪声所需的光功率，即直接将噪声与光功率进行比较，衡量了可探测到的最小信号功率。 均方散粒噪声电流： 入射光功率产生的光电二极管电流为 I(t)=Ip+is(t) 其中，is(t)是散粒噪声的电流起伏，与之有关的均方散粒噪声电流为 is2(t)=2eIpB，B是放大器的带宽 当暗电流Id的存在不可忽略时，均方散粒噪声电流为 is2(t)=2e(Ip+Id )B §4-6 半导体光电检测器 其中， 2eIpB称为量子噪声，是由于入射光子所形成的电子-空穴对都具有离散性和随机性而产生的。只要有光信号输入就有量子噪声。这是一种不可克服的本征噪声，它决定了光接收机灵敏度的极限。 2eIdB是暗电流产生的噪声，暗电流与光电二极管的材料和结构有关，Si光电二极管的Id1nA，而Ge光电二极管的Id约为100nA~几百nA。 §4-6 半导体光电检测器 均方热噪声电流： iT2(t)=4kTB/R，R是负载电阻与放大器输入电阻的并联（=RL∥Ri ）。 因此，光电二极管的总均方噪声电流为： i2=2e(Ip+Id )B + 4kTB/R 3. PIN光电二极管的特点 优点：噪声小、工作电压低（仅十几伏）、工作寿命长，使用方便和价格便宜。 缺点：没有倍增效应。即在同样大小入射光的作用下仅产生较小的光电流，所以用它做成的光接收机之灵敏度不高；PIN光电二极管只能用于较短距离的光纤通信（小容量与大容量皆可）。 §4-6 半导体光电检测器 四、雪崩光电二极管(APD: avalanche photodiode) 1. 工作原理 APD的工作原理也是基于光电效应，但是PIN光电二极管的1个光子只产生一对电子-空穴对，无增益；APD利用电离碰撞， 1个光子产生多对电子-空穴对，有增益，因此，APD不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用，其内部放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应而完成的。 入射光—??一对电子-空穴对(一次光生电流)—? ? ? 与晶格碰撞电离，产生雪崩增益? ?多对电子-空穴对(二次光生电流） 吸收 外电场加速 §4-6 半导体光电检测器 实际上，APD可看成一个二级器件：第一级是一个PIN光电二极管，光在其中产生一次光生载流子；第二级是一个基于雪崩增益的内置放大级，在高电场作用下，载流子近似雪崩（几十~200伏的偏置电压）。 第一级：耗尽层仍为I层，起产生一次电子－空穴对的作用。 第二级：增加了一个附加层：高电场区(增益区)，以实现碰撞电离产生二次电子－空穴对。 N + P π P + 电场 E 高电场区 耗尽区 + - 雪崩区 雪崩电离需要 的最小电场 §4-6 半导体光电检测器 此动画为APD的场分布动画：和PIN光电二极管相比，其存在一个雪崩电离的高电场区。 §4-6 半导体光电检测器