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VO2-xNy薄膜的主要制备工艺参数与相变温度系数 SEMIC0NDUCT0R0PT0ELECTR0NICSV0I.28No.4Aug.2007 VO2一N薄膜的主要制备工艺参数与相 陈金民,黄志良,刘羽 (武汉工程大学湖北省等离子体重点实验室 ,王升高 ,湖北武汉430073) ,--fi-~日 又lrm.度系数 摘要:选用VO为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微 波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO一N)薄膜. 通过正交试验设计对制备V()薄膜过程中的主要影响因素(反应时间,反应压力,反应功率和N/ Hz流量比)进行了分析研究.试验结果表明,VO.薄膜的最终的相变温度明显受到反应时间,反 应压力,反应功率和N./H.流量比的影响.其中以反应时间影响作用最为显着.经分析得到使 VO薄膜具有最低相变温度的优化工艺为:反应时间为7min,反应压力为1.5kPa,反应功率为 1O0W,Nz/H2流量比为5/20(mL/min).文中对试验结果进行了简单讨论. 关键词:VO薄膜;热致相变特性;电阻温度系数;VO.一N薄膜;微波等离子 中图分类号:TB43文献标识码:A文章编号:1O01—5868(2007)04—0512—04 TheMainPreparationParametersandTCRofVO2一NThinFilm CHENJin—min,HUANGZhi—liang,LIUYu,WANGSheng—gao (HubeiProvinceKeyLab.ofPlasmaChemistryandAdvanceMaterials,WuhanInstituteofTechnology,Wuhan430073,CHN) Abstract:Usingthemixtureambienceofhighpurehydrogenandhighpurenitrogenas precursor,VO2一Nythinfilmswithgoodthermalinducedphasetransitionpropertywere synthesizedatlowtemperaturebymicrowaveplasmaenhancedrouteusingV2O5asmolecular precursorsthroughcoatingfilminglassslice.Themainpreparationparametersforproducing VO2一Nthinfilmswerestudiedbyorthogonalexperimentaldesign.Itwasfoundthatreaction time,reactionpressure,reactionpowerandtheflowrateofN2/H2showedstrongeffectsonthe TCRofVO2一Nthinfilms,thestrongesteffectontheTCRofVO2一N,thinfilmswasthe reactiontime.ThebestpreparationparameterstOobtainthelowestphasetransitionstemperature were:thereactiontimewas7min.thereactionpressurewas1.5kPa,thereactionpowerwas100 W,andtheflowrateofN2/H2was5/20(mI/rain).Theresultsarealsodiscussedbriefly. Keywords:VO2thinfilm;thermalinducedphasetransitionproperty;TCR;V02…Nthin film;microwaveplasma 1引言 V是一种典型的过渡金属氧化物,它在 68口CL左右发生一级相变引,温度高于340K时, VO具有四方金红石结构,空间群为P42/mnm;当 收稿日期:2007-01—08. 基金项目:湖北省自然科学基金项目(2005ABA024);湖北省 科技厅重大攻关项目(2006AA101C45). ?512? 温度低于340K时,VO则具有单斜结构,空间群 为P21/c.在相变过程中,VO的电阻率,磁化率, 光折射率,透射率和反射率发生了可逆突变. 掺杂法是一种比较有前途,能有效改变Vo相 变温度的方法.目前,掺杂的方式有两种:一是 已有较多报道的阳离子掺杂l5,即钒位掺杂法;二 是阴离子掺杂,即氧位掺杂法,目前研究的较少.国 内外掺杂VO的制备方法主要有q]:溶胶一凝胶 《半导体光电))2007年8月第28卷第4期陈金民等:VOz一N薄膜的主