半导体物理第四章教材.pptVIP

4.1 载流子的漂移运动和迁移率 4.2 载流子的散射 4.3 迁移率和杂志浓度和温度的关系 4.4 电导率 4.5 强电场下的效应 ;§4.1 载流子的漂移运动 迁移率;一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想:载流子定向运动，即漂移运动。;在严格周期性势场（理想）中运动的载流子在电场力的作用下将获得加速度，其漂移速度应越来越大。;实际中，见到：;存在破坏周期性势场的作用因素：;2、迁移率假设讨论的是n型半导体，电子浓度为n0，在外电场下通过半导体的电流密度;;同理，对p型半导体;T=300 K时，低掺杂浓度下的典型迁移率值;例1：在一定温度下，相同电阻率的n型Ge和Si半导体( )，哪一个材料的少子浓度高？为什么？;对一般半导体;§4.2 载 流 子 的 散 射;1、载流子散射（1）载流子的热运动;平均自由程：连续两次散射间自由 运动的平均路程。;（2）、???流子的漂移运动; 在外电场作用下，实际上，载流子的运动是：;2、半导体的主要散射机构;1）电离杂质散射 （即库仑散射）;2）晶格振动散射;晶格振动散射特点：各向同性。 a、声学波散射： Ps∝T3/2 举例：Ge、Si b、光学波散射： P o∝[exp（hv/k0T）]-1 举例：GaAs;3)其它散射机构;（2）中性杂质散射——在低温下重掺杂半导 体中发生. （3）位错散射——位错密度104cm-2时发 生具有各向异性的特点. （4）载流子与载流子间的散射 ——在强简并下发生 ;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系;;*; 电子在电场的作用下（沿电场反方向）定向运动，这种运动就叫漂移运动。;迁移率与有效质量的关系：对等能面为旋转椭球面的多极值半导体，沿晶的不同方向有效质量不同，故; 为电导迁移率，迁移率与有效质量的关系应表征为 ;对于电子和空穴，如设两者 平均自由时间相同，;*;*;Si在300K下的电子迁移率和空穴迁移率;重掺杂Si的空穴迁移率;§4.4 电阻率及其与杂质 浓度和温度的关系;;*;2.电阻率随温度的变化;(2.2)杂质半导体;例 题 讲解;证明一：;;根据柯西不等式，当a=b时，;例3：;由 Ni= NA= 2×1015cm-3 查图4-14得到;;由 Ni= NA+ ND= 5×1015cm-3 查图4-14得到 ;答：（1）在室温下的载流子浓度分别是p0= 2×1015cm-3和n0=1.125 ×105(cm-3);空穴和电子迁移率分别是440cm2/Vs和1200 cm2/Vs,电导率为 . （2）在室温下的载流子浓度分别是n0= 1.0×1015cm-3和p0=2.25 ×105(cm-3);空穴和电子迁移率分别是420cm2/Vs和1800 cm2/Vs,电导率为 . ;§4.5 波尔兹曼方程  电导率的统计理论;;f=f（k，r，t）：非平衡态的分布函数;*; 因此，得到非平衡态下Boltzmann方程的一般形式：;讨论：;*;2、驰豫时间近似 稳定状态时，如果分布函数f与平衡时的f0偏离不大，;;;*;;强场下的热载流子效应;本章小结