电子学II第08回随堂讲义学用本.docVIP

第8回　 11-1 第1部分　重點整理 1. 正弦波產生電路分類 正弦波產生電路 低（聲）頻 　韋恩　電橋 　RC　相移 高（射）頻 　哈特萊　 　考畢子　 　克拉普　 　石英晶體　 2. 巴克豪生準則（起振條件） (1) 　正回授　0°或360° (2) 　βA＝－1∠0°　或　βA＝1∠180°　 3. 振盪條件 (1) 　正回授　（0°或360°） (2) 　| βA | ≥ 1　（略大於1趨近1.05） (3) 　穩定VCC　直流電壓供給。 (4) 　Av夠大　（A類放大）。 4. RC相移振盪 OPA（FET）超前型 (1) β＝　正回授　 (2) 　　 　　　 ≥ 29 (3) f＝　正回授　【註】FET之Av≒－gm（RD // rd） 5. 韋恩電橋振盪 (1) 正回授→決定頻率 　f＝　正回授　 ＝ (2) 負回授→決定振盪條件，當　正回授　 m 可振盪，且當R1＝R2，C1＝C2時振盪條件為　正回授　。 (3) β＝　正回授　當R1＝R2且C1＝C2則β＝　正回授　 (4) 利用| βA | ≥ 1可求出A，且A至少為　3　 6. 高頻振盪器 〈說明〉Z1：輸入元件 　　　　Z2：輸出元件 　　　　Z3：回授元件 (1) β＝＝ (2) | βA | ≥ 1→≥ 1　∴ | A | ≥ (3)f＝ 7. 哈特萊振盪 (1) 採　電感　分壓式 (2) | A | ≥ | A | ≥ | A | ≥　正  |－gm(RD // rd) | ≥ | gmrd| ≥ 　 ∴ | gm| ≥ (3) f＝　正回授　 其中LT＝L1＋L2＋2M（互感） 〈說明〉 L：抗流圈（隔絕交流，通過直流） Cb1，Cb2：交連電容（隔絕直流） VCC可進入LC槽則稱串饋式哈特萊 8. 考畢子振盪 L抗流圈（隔絕交流） Cb1，Cb2交連電容 (1) 考畢子　電容　分壓式 (2) | A | ≥ | A | ≥ | A | ≥ 　 正 　 |－gmrd| ≥ 　∴ | gm| ≥ (3) f＝　正回授　，其中CT＝ 9. 克拉普振盪 (1) | A | ≥　正回授　，表電壓增益由C1，C2所控制。 (2) f＝＝　正回授　，表頻率由L及C3所控制，故頻率更穩定，其中CT＝C1串C2串C3≒C3。 (3) 　克拉普　振盪器是考畢子振盪器的改良型，為電感L上　串　聯小電容C3，使得電壓增益由C1、C2控制，而頻率由C3控制，可以更穩定、更準確的振盪頻率。 10. 晶體振盪 (1) 在高頻振盪器中，　石英晶體振盪　的頻率是最穩定、最準確。 (2) 壓電效應：即為一種　機械　能與　電　能的互換而產生振動（振動頻率），產生振盪功能。 　　　　　　　　 (a)符號 (b)等效 (c)電抗特性 石英晶體圖 　最大fp＝　正回授　　 　 (＝　正回授　 (4) 當f＜fs為　電容　性，當fp＞f＞fs為　電感　性，又稱為有效頻寬，當f ＞fp為　電容　性。 (5) 有效頻寬為　fp－fs　，故石英晶體工作時頻寬窄B.W.小，則　Q值　高， 且為　電感性　。 第2部分　隨堂練習（題目前有「＊β＝0.05，如欲使其產生振盪，Av應 ≥　(A)10　(B)20　(C)30　(D)40。 （ B ） 3. 一正回授電路，欲使其產生振盪，其迴路增益之大小| βA |應大約等於　(A)0　(B)1　(C)　(D)2。 ＊（ C ） 4. 巴克豪生振盪器之準則是　(A) βA大於1∠180°　(B)βA小於1∠0°　(C)－βA＝1∠0°　(D)－βA＝1∠180°。 （ D ） 5. 下列何者為正弦波振盪器？　(A)單穩式多諧振盪器　(B)雙穩式多諧振盪器　(C)無穩式多諧振盪器　(D)RC相移振盪器。 ＊（ B ） 6. 下列哪種振盪器不適用於音頻振盪？　(A)T型電橋振盪器　(B)晶體振盪器　(C)RC移相振盪器　(D)韋恩電橋振盪器。 （ C ） 7. 振盪器中，若以RC相移電路形成正回授，且利用RC電路來產生180°的相位移，則至少須用幾級RC電路？　(A)一級　(B)二級　(C)三級　(D)四級。 （ B ） 8. 一放大器若欲利用RC相移電路產生振盪，則此RC電路必須提供的相位移為　(A)90°　(B)180°　(C)270°　(D)360°。 ＊（ B ） 9. 由運算放大器所組成的RC相移振盪器，下列敘述何者錯誤？　　　(A)迴路增益βA最小為1　(B)有一負回授網路　(C)回授網路總共相移180°　(D)能將直流電能轉換成交流電能。 ＊（ B ）10. 相移振盪器之迴路增益| βA | ＝，則此電路能否產生振盪？　(A)能　(B)