化学气相沉积经典案例.pptx

化学气相沉积与薄膜工艺;绪论：化学气相沉积（CVD） － 一个重要的科学技术领域; 1.1 化学气相沉积（CVD）: 概念、定义及其基本特点;Chemical Vapor Deposition;Plasma Enhanced CVD;Other Types of Chemical Vapor Deposition;Chemical Vapour Deposition (CVD) ;SiHCl3+H2=Si+3HCl ;;MOCVD Growth;MO-CVD Apparatus; 1.2 CVD:学科与技术范围;1.3 CVD与新材料;;1.4 CVD 与高新技术;化学气相沉积的一般化学原理和和技术;2.1 CVD的化学反应体系 － 热解反应;2.1 CVD的化学反应体系-热解反应;2.1 CVD的化学反应体系－热解反应;2.1 CVD反应体系－化学合成反应;化学合成反应示例-同一材料有多种合成路线;2.1 CVD反应体系－化学输运反应;2.1 CVD反应体系－化学输运反应;2.2 CVD反应器技术;2.3 CVD先驱物（源物质）;;Other Susceptor to Flow Axis Options;气相外延砷化镓单晶薄膜;MOCVD Growth;;玻璃板;SiHCl3+H2=Si+3HCl ;;Low-Pressure CVD System;Plasma-Enhanced CVD;ECR-CVD(ECR: electron cyclotron resonance);MBE Growth;(a) phosphoric anhydride, (b) sodium hydrate particle, (c) ball valve, (d) flowmeter, (e) spongy titanium, (f) aluminum chloride (purity 98%), (g) ribbon heater, (h) MoSi2 heater, (i) thermocouple, (j) quartz tube reactor, (k) pressure gauge, (l) vacuum pump, (m) powder collection flask, (n) NaOH solution.;图. 燃烧AACVD装置图;pump;Schematic illustration of the Single mixed source MOCVD apparatus.;PECVD (plasma enhanced CVD);;LPCVD (low pressure CVD);APCVD (Atmospheric pressure CVD);HC-PCVD化学气相沉积系统;EA-CVD化学气相沉积系统;磁控与离子束复合溅射系统;MW-PCVD化学气相沉积系统;2.The MOVD growth system ;2.4 CVD技术分类（历史性发展）;化学气相淀积系统中的质量输运 － 原理和和技术;;气相外延砷化镓单晶薄膜;;SiHCl3+H2=Si+3HCl ;CVD反应器设计;3.2 气体的一些性质－(1)气态方程;3.2 气体的一些性质－(2)输运性质（η）;3.2 气体的一些性质－(2)输运性质（η）;3.2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3.2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3.2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3.2 气体的一些性质-(2)输运性质(D);3.2 气体的一些性质－(2)输运性质(D);3.3 开管气流系统中的质量输运（1）水平反应管中的气流状态;这种情况也为在重掺杂的锗片上外延硅时的自掺杂效应所证实，如图所示。由于基座前端10～15厘米处形成紊流，衬底中施主杂质被卷人气流，比较难于再回到外延层中，所以此段外延层呈现高阻。;3.3开管气流系统中的质量输运（1）水平反应管中的气流状态;3.3开管气流系统中的质量输运（1）水平反应管中的气流状态; 3.3开管气流系统中的质量输运－(2)  气态组分向生长表面的转移;3.3 开管气流系统中的质量输运－(2)  气态组分向生长表面的转移;(2)气态组分向生长表面的转移;(2)气态组分向生长表面的转移;(2)气态组分向生长表面的转移;(2)气态组分向生长表面的转移;(3)实例：Ga – HCl- NH3-H2 体系;3.4 封管系统中的质量输运 ;3.4 封管系统中的质量输运－ （1）系统总压和输运机制 ;3（1