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第三章 MEMS制造技术知识-1.ppt
第三章 MEMS制造技术;简介;集成电路简史;集成电路简史;集成电路简史;集成电路简史;集成电路制造概述;;MEMS制造概述;基础电路与MEMS制造比较;集成电路制造程序;集成电路制造程序;?
分单晶硅、多晶硅和非晶硅。
单晶硅具有优良的物理性质,其机械稳定性能良好,滞后和蠕变极小,质量轻,密度小。力学性能好,具有高的强度密度比和高的刚度密度比。表3.1
各向异性:硅属于立方晶体结构。硅单晶在晶面上的原子密度是以(111)(110)(100)的次序递减,因此扩散速度是以(111)(110)(100)方向递增.腐蚀速度也是以(111)(110)(100)的顺序而增加;多晶硅
单晶硅是指整个晶体内原子都是周期性的规则排列,而多晶是指在晶体内各个局部区域里原子是周期性的规则排列,但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同。因此多晶体也看作是由许多取向不同的小单晶体组成的,如图所示。
; 多晶硅薄膜具有与单晶硅相近的敏感特性、机械特性,它在微机械加工技术中多用于作为中间加工层材料。在工艺上可与单晶硅工艺相容,又能进行精细加工,而且还可以根据器件的需要充当绝缘体、导体和半导体。;随着单晶硅园片直径越来越大,制造集成电路会出现以下问题
(1)硅片电参数径向均匀性质差
(2)硅片平整度的问题
(3)采用低温加工环境 ;单晶生长
工业上使用的单晶炉,普遍采用石墨电阻加热式单晶炉。其组成部分有炉腔部分、提升机构,气参控制、电子控制和电源。
拉晶过程中必须在真空或高纯惰性气氛中进行,以免熔硅和石墨在高温下氧化。可供选择的惰性气体有氦或氩。
拉晶过程
位错通过悬挂链和应力场的作用,直接影响载流子的传导过程,因此集成电路制造中应当采用无位错或少位错的硅单晶。; 从单晶硅锭到硅片抛光需要经过多次机械加工和化学腐蚀,表面抛光以及清洗,检测和若干其他辅助工艺。
(1)晶向测定
在籽晶切割,定位面研磨和切片操作之前,需要进行定向,使晶向及其偏差范围符合工艺规范要求,用X射线衍射定向法测定。
(2)机械加工
单晶硅外形整理,切割分段,外圆滚磨和定位面研??等,然后进行切片。对于大直径单晶硅,应使用带式切割机切断。;(3)切片
切片是硅片制备中重要工序,其四个重要工艺参数,即晶向、原度、平行度、翘度。抛光是硅片表面的最后一次重要加工,也是精细的表面加工,抛光后的硅片表面应当是结净的,无加工伤痕的,平整的和镜面光滑的。; 光刻工艺是一种图象复印同刻蚀(化学的、物理的、或两者兼而有之)相结合的综合性技术。它先用照相复印的方法,将光刻掩模的图形精确地复印到涂在待刻蚀材料(二氧化硅、铝、多晶硅等薄层)表面的光致抗蚀剂(亦称光刻胶)上面,然后在抗蚀剂的保护下对待刻材料进行选择性刻蚀,从而在待刻蚀材料上得到所需要的图形。 ; 在光刻工艺中使用的光刻胶有两大类:一类叫负性光刻胶,其未感光部分能被适当的溶剂溶除,而感光的部分则留下,所得的图形与光刻掩模图形相反;另一类叫正性光刻胶,其感光部分能被适当的溶剂溶除而留下未感光的部分,所得的图形与光刻掩模图形相同。采用负性光刻胶制作图形是一种人们熟知而且容易控制的工艺。其涂层对环境因素不那么灵敏,且具有很高的感光速度,极好的粘附性和搞蚀能力,成本低,适用于工业化大生产。目前刻蚀5m左右线条主要使用负性光刻胶。负性光刻胶的主要缺点是分辨率较低,不适于细线条光刻。; 表面处理
涂胶
前烘
曝光
显影
后烘
腐蚀
除胶; 光刻胶的性能指标有感光度、分辨率、粘附性、抗蚀性、针孔密度、留膜率、稳定性等。根据待加工材料的性质,加工图形的线宽及精度要求,曝光方式、腐蚀方法等正确选用光刻胶。
(1)感光度
感光度是表征光刻胶对光线敏感程度的性能指标。它既与光刻胶本身的性质有关,又与具体的光刻工艺条件有关 ;(2)分辨率
分辨率是光刻胶的又一项重要性能指标,它是指用某种光刻胶光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。分辨率通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多
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