第三章 半导工艺基础经典案例.pptVIP

接触和接近式光刻机 扫描投影式光刻机 70年代末80年代初，现在仍有使用，用来实现1μm的非关键层，采用光学反射或者折射原理将图像投影到晶片上。 使用1：1掩膜版 特点：亚微米尺寸的掩膜版制作困难 非光学曝光（0.1um以下） 电子束曝光 利用低功率密度的电子束照射电致抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 X射线曝光 利用X光抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 离子束曝光 离子束曝光是一种类似于电子束曝光的技术, 它是在聚焦离子束技术基础上将原子被离化后形成的离子束的能量控制在10 keV~200 keV范围内, 再对抗蚀剂进行曝光, 从而获得微细线条的图形。其曝光机理是离子束照射抗蚀剂并在其中沉积能量, 使抗蚀剂起降解或交联反应, 形成良溶胶或非溶凝胶, 再通过显影, 获得溶与非溶的对比图形。 §刻蚀的概念 一、基本概念 刻蚀：去除材料 用化学的或物理的或化学物理结合的方式 有选择的去除（光刻胶开出的窗口） 整体剥离或反刻 被刻蚀的材料：介质 硅 金属 光刻胶 刻蚀 §膜淀积 淀积：一种材料以物理方式沉积在晶圆表面的工艺过程 与热氧化的区别：形成膜的来源不同 淀积：形成膜的物质全部来自外部的源 热氧化：从硅片表面生长，消耗衬底材料 淀积的膜：SiO2，Si3N4，多晶硅，金属等 一、薄膜特性（质量参数要求） 高密度：连续的 不含孔隙 厚度一致（均匀性） 对台阶的覆盖好 高的深宽比间隙填充能力 高纯度 合适的化学剂量 低的膜应力 对下层材料的粘附性 台阶覆盖 3.等离子体辅助CVD（PECVD） 在LPCVD基础上，加高频电场，使反应气体电离成等离子体，发生反应，沉积成膜 特点：低压，可与LPCVD比拟 低温 快速淀积 好的台阶覆盖能力 要求RF系统 成本高 应用：淀积热稳定性差的材料 CVD生长薄膜形成过程： 晶核形成→聚集成束（岛生长）→连续成膜 膜结构控制： 淀积膜可能是无定形、多晶、单晶 PECVD PECVD结构示意图 借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 二、金属淀积方法 蒸发 溅射 金属CVD 电镀 1.蒸发 在真空系统中，金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，沉积在晶片上。 分为： 真空热蒸发 电子束蒸发 早期的金属膜采用蒸发法，20世纪70年代被溅射取代 特点：台阶覆盖差 沟槽填充能力差 淀积合金困难 金属热蒸发台 真空蒸发法结构示意图 电子束蒸发法结构示意图 2.溅射（sputtering） 高能粒子撞击靶，撞击出原子，沉积在基片上，形成薄膜 特点： 可在大晶圆上控制淀积均匀的薄膜 膜厚均匀，台阶覆盖能力好 保持复杂合金原组分 能淀积高熔点和难溶金属 能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层（原位溅射） 溅射机制 溅射系统 三类溅射系统： RF（射频） 磁控 IMP（离子化的金属等离子体） 直流二极溅射系统 交流溅射系统 光刻 §光刻材料 §光刻工艺流程 §先进的光刻技术 §光刻材料 一、概述 制作掩膜版 将掩膜版上的图形转移到硅片表面的光敏薄膜上 刻蚀 离子注入 （掺杂） 光刻使用光敏光刻胶材料和受控制的曝光形成三维图形 光刻是IC制造中关键步骤 1/3成本、40%—50%生产时间 多次光刻 光刻材料：光刻胶 掩膜版 二、光刻胶（PR） 1.光刻胶的特性及作用 是一种光敏材料 通过曝光使光刻胶在显影液中的溶解度发生改变 可溶→不可溶（负胶） 不可溶→可溶（正胶） 光刻胶的作用：保护下层材料 光刻胶：负性光刻胶 正性光刻胶 2.光刻胶的组成树脂 感光剂 溶剂 另外还有添加剂 负性光刻胶 树脂（可溶于显影液） 曝光后感光剂产生自由基 自由基使树脂交联而不溶于显影液 显影后图形与掩膜版相反 正性光刻胶 树脂（本身是可溶于显影液，感光剂是一种强力溶解抑制剂，曝光前，感光剂抑制树脂溶解） 曝光后感光剂产生酸 酸提高树脂在显影液中的溶解度 显影后图形与掩膜版相同 对比：正、负光刻胶 负胶：显影泡胀而变形，使分辨率下降