集成电路工艺技术知识发展趋势.pptVIP

集成电路工艺技术发展现状与趋势;目录;一、概述; 集成电路是信息技术产业的核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。 2015年中国集成电路进口额达14303.4亿元，同比增加7%，出口金额达4312.6亿元，同比增加15.4%。连续第六年远超过石油成为第一大进口商品。贸易逆差持续扩大。 针对我国集成电路产业发展水平与国外存在较大差距，难以对构建国家产业核心竞争力、保障信息安全等形成有力支撑。国家相继出台《集成电路发展推进纲要》、《集成电路产业发展白皮书（2015版》等相关政策支持集成电路的发展。; 我国信息技术产业发展迎来了新的历史机遇，国家高度重视网络安全与信息化建设，没有网络安全就没有国家安全，没有信息化就没有现代化。 各位同学选择这个方向既是把握住了社会发展的主流方向，同时也是展示自己才华的平台，好好努力！;MOSFET的基本结构和图形;;1、集成电路特点—遵循Moore定律; ; 半导体材料中，硅材料是集成电路的主要材料，是发展的主流。为满足不同需求，也发展其他材料的器件。;集成电路技术是近50年来发展最快的技术 微电子技术的进步;等比例缩小(Scaling-down)定律;漏源电流方程： 由于VDS、(VGS-VTH)、W、L、tox均缩小了?倍，Cox增大了?倍，因此，IDS缩小?倍。门延迟时间tpd为： 其中VDS、IDS、CL均缩小了?倍，所以tpd也缩小了?倍。标志集成电路性能的功耗延迟积PW?tpd则缩小了?3倍。;恒定电场定律的问题;恒定电压等比例缩小规律(简称CV律) 保持电源电压Vds和阈值电压Vth不变，对其它参数进行等比例缩小 按CV律缩小后对电路性能的提高远不如CE律，而且采用CV律会使沟道内的电场大大增强 CV律一般只适用于沟道长度大于1?m的器件，它不适用于沟道长度较短的器件。;准恒定电场等比例缩小规则，缩写为QCE律 CE律和CV律的折中，本世纪初采用的最多 随着器件尺寸的进一步缩小，强电场、高功耗以及功耗密度等引起的各种问题限制了按CV律进一步缩小的规则，电源电压必须降低。同时又为了不使阈值电压太低而影响电路的性能，实际上电源电压降低的比例通常小于器件尺寸的缩小比例 ??件尺寸将缩小?倍，而电源电压则只变为原来的?/?倍; 集成电路工 艺 流程长，且要求高，随着向深亚微米工艺推进，工艺流程更为复杂，制造成本会更大，设备要求更高，建一条8英寸线，需要10亿人民币，如果建一条65纳米的12英寸线，就需要上百亿人民币，并且运转过程中还要持续投入。;;;高　能　注　入　离　子;;;*;国外发展迅速，公司很多，IBM、JAZZ、MAXIM、Infinen 、Conexant、On Semi、Philips 、Alcatel 、ST、Motorola、NEC、ADI、Hitachi、ATT Bell、 SiGe、AMS、NS、TI、ADI、NXP、ATMEL、三星、TSMC......等公司 三星做存储器是世界第一，线宽做到了16纳米； 台积电和台联电已经能够代加工22纳米，准备建立16纳米的FOUNDRY线； IBM、TI、 ADI等美国公司重点在军事上，基本不对外开放。;国内从事民用产品生产的企业：华虹、NEC等，最细线宽达到了0.09微米，主要工艺是CMOS、BICMOS工艺。 军用集成电路研制生产单位：航天771所、中国电科24所、47所、58所，最细线宽达到了0.25微米，主要工艺是CMOS、BICMOS、 CBIP、SOI CBIP、SOI CMOS工艺，研制生产高性能的集成电路产品（如抗加集成电路）满足军用需要。 与国外有做较大的差距！; 在国家大力支持下，集成电路取得了长足的进步，国内集成电路产业销售突破了3000亿人民币，2011年-2015年年均增长率达到了23%。为我国集成电路产业的发展起到了重要的促进作用。;*;支撑集成电路发展的主要技术： 特征尺寸继续等比例缩小 互连技术 SOI与SiGe技术 新材料;22nm和45? m已进入大生产 16nm技术也已经开发完成，正在进入大生产，具备大生产的条件。当然仍有许多开发与研究工作要做，例如IP模块的开发，为EDA服务的器件模型模拟开发以及基于上述加工工艺的产品开发等 在7nm 正在研发阶段，最关键的加工工艺—光刻技术还是一个大问题，尚未解决;多层金属（如：Ti /TiN、W、CU等）互连已在0.13um以下技术中使用；同时低介电常数绝缘材料的使用对提高可靠性也是一个支撑； 光互连是解决引线变细后带来的线电阻增大问题的最佳途径。;互连技术与器件特征尺寸的缩小 （资料来源：Solidstate Technology