第1章_常用半导体器件1.ppt

前言： 自然界中的两大类信息，模拟信息和数字信息都可以通过物理或化学的转换方式变成电信号。 那么如何处理，应用这两类信息，用什么器件和电路来完成这些任务？怎样能够系统地分析和设计这两类电路？ 这就是现代工程类特别是电子信息类的学生所必须要掌握的知识。《模拟电路》和《数字逻辑》课程也正是你建筑电子信息系统大厦的最佳基石。 模拟电子电路教学内容 模拟信息的处理离不开模拟电路。本课程主要介绍微小信号的放大和功率控制等系统电路。 主要内容有：半导体器件基础；基本放大电路；集成运算放大电路；电路中负反馈技术；信号的运算和处理；波形产生与变换；功率电子电路和直流稳压电源等。 二极管的几种外形 材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 2、光电二极管 半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下，很容易脱离共价键而成为自由电子，因此可以用PN结构成光敏二极管。光敏二极管的反向电流与光照度成正比，用感光灵敏度来衡量。 三、晶体管特性曲线 输出特性曲线 0.06 iC(mA) 0 2 4 6 8 10 12 14 4 6 8 10 12 -uCE(V) iB=0 0.02mA 0.04 0.08 0.10 0.12 20℃ 2 放大区 饱和区 截止区 uCES 截止区：发射结反偏。 3. 饱和区：发射结正偏，集电结也正偏。 2. 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 第三节 四、晶体管的参数 β、α、ICBO（ICEO）、ICM、U(BR)CEO、PCM是它的主要参数。 晶体管安全工作区： 工作在放大区 iC(mA) 60 30 20 10 10 20 30 40 50 0 uCE(V) 0.2 0.4 0.8 0.6 iB=1.0mA 20℃ 0 温度对参数的影响： T↑→ uBE↓ ICBO↑ β↑ →iC↑ 第三节 晶体 管放 大作 用原 理 内部条件 外部条件 晶体管结构上的特点 晶体管的发射结加正向电压，集电结加反向电压。 P区接正,N区接负 N区接正,P区接负 第三节 晶体管直流电源接法 共射接法 在基极与发射极之间加正向电压，集电极与发射极之间加一更大的正向电压，使uCEuBE，这样uBC0，即集电结反向偏置。这种接法以发射极为公共端。 第三节 e VCC Rc N N b c VBB Rb iE iC iB + - - - + + uCE uBE uBC - P 发射结正偏； 集电结反偏。 （一）晶体管内部载流子的运动 载流子运动主要表现为发射区向基区注入电子，形成电流iE≈iEn。 1.发射区向基区注入电子的过程 2.电子在基区的扩散过程 注入电子在扩散的过程中，极少数与基区的空穴复合形成iBN ，绝大部分扩散到集电结边界。 Rb VBB VCC N N P iE iB iC iEn iCn iCBO Rc 第三节 3.电子被集电级收集的过程 3.电子被集电级收集的过程 电子受到集电结上的电场吸引而迅速漂移过集电结，形成iCn 。 集电结反向偏置必然要使集电区与基区的少子漂移，形成ICBO。 第三节 发射结加正向电压 集电结加反向电压 (二）晶体管的电流分配关系 晶体管各极的电流构成 发射极电流 iE 大部分流入集电极形成 iCn 令 称为共射电流直流放大系数 VBB VCC Rb iB iC iE ICBO iCn iE Rc 第三节 各极的电流分配关系 令 则 当 iB=0 时， iC=ICEO 称ICEO为穿透电流 如果 ICEO≈0, 则 代表iB对iC的控制作用， 越大，控制作用越强。 即 iC≈ iB VBB VCC Rb iB iC iE ICBO iCn iE 第三节 （三）晶体管的放大作用 电流控制作用，即iB对iC或iE对iC的控制作用 共发射极放大电路 输入信号 b e c VBB VCC 负载 iC iB + - uBE 基极电流iB是由发射结间电压uBE控制的。 在集电极回路中串接一个负载电阻，就可以在负载电阻两端得到相应的幅度较大的变化电压。 第三节 （四）关于PNP型晶体管 VBB VCC iC b c e VBB iE iC iB VCC b c e iE iB 1.电源极性不同 2.电流方向不同 NPN型 PNP型 NPN型电流从集电极流向发射极 PNP型电流从发射极流向集电极 第三节 输入特性的特点 1. 当uCE=0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线形状类似。 2. uCE增加，曲线右移。 iB(mA) 0.08 0.06 0.04 0.02 0 0.2 0.4 0.