区熔硅单晶动态介绍-9.13.pptVIP

区熔硅单晶产业的发展 天津环欧半导体材料技术有限公司 王彦君、沈浩平 2012年9月 功率半导体器件行业是公司尚有机遇的领域： 使用硅片总量约50%， 器件产业技术：0.35um/6-8英寸平台 材料产业技术： Epi FZ /6-8英寸 2 中环股份半导体器件/ 材料的可能机会 一. 目前全球区熔单晶硅产业概述 二.现代区熔单晶硅的应用领域 5 区熔单晶-CFZ 单晶/单晶硅片 未来产业化 主要应用方向 节能社会、环境保护已经成为我国和全球经济发展的基本背景。在此背景下，建立在FZ硅片基础上的新一代IGBT器件具有广阔的应用前景、最快的增长速率和最大的市场成长空间。当前，IGBT技术的发展从基于外延硅片（Epi）的低压PT型技术全面向基于区熔硅片（FZ）的中、高电压NPT技术方向发展。区熔硅单晶将以自身氧含量低、少子寿命高、电阻率高的特点逐步成为IGBT的主体功能性材料。 目前全球8英寸IGBT绝大多数都是由德国WACKER公司提供，所以研发8英寸区熔硅单晶具有全球战略意义。 2.1、重点应用领域：电力电子节能产业 •工业电机 •轨道交通 •混合动力汽车 /电动汽车 •太阳能/风力发电 •智能电网 2.1.1 以区熔硅为基础的IGBT应用领域 2.1.2 现代电力电子的核心 -- IGBT在中国 （国金证券研究所） IGBT已广泛应用于：工业节能领域（电机的变频调速、超高压输变电等），交通运输（机车、新能源汽车），新能源领域（风能、太阳能），消费类电子（家电变频） 2011年中国IGBT市场规模约90亿元，未来将继续以年25%以上的速度增长。 2.2、重点应用领域：高效、低成本的CFZ光伏电池 立足当期光伏产业“双反”、产能过剩等的“严冬”，展望未来全球光伏必须同常规能源接轨的基本发展前景，环欧公司认为：作为规模较小的个体企业生存，就必须走差异化、高效化路径。 1. 硅薄膜电池在理论基础尚需解决，而缺乏基础理论支撑的差异化竞争将难于控制技术风险。从实现光伏产业最终发电成本和常规能源相近的战略目标分析，相对高效的晶体硅技术路径更有希望。 2. 在晶体硅路径（浇铸多晶硅、P型直拉硅、N型直拉硅和CFZ单晶硅）的竞争实际是不同企业（企业群）采用速度-效益型竞争或采用差异化的成本-效益型竞争的比较。 3. 展望未来3-5年的光伏产业发展，晶体硅电池-系统发电全产业链整体制造成本已从重量的函数演变为面积的函数，电池效率将取代规模成长和速度成为竞争的关键。 4. 按高转换效率和低制造成本要求，非保守系统的CFZ单晶技术将能够制造出具有：1.片间参数高斯分布集中，2.超低氧含量（不衰减），3.高寿命、低缺陷（高效率），4.低成本的优良硅片。 + – Textured front surface P N 140 μ thick monocrystalline silicon wafer The All-Back-Contact Solar Cell By locating all of the electrical contacts on the back surface, It is able to achieve conversion efficiencies up to 35%(24.5%) higher than conventional solar cells. 11 太阳能电池产业战略发展拓扑图（HO-2012) 系统技术：低倍聚光（长寿命、低成本） 电池技术：背电极高转换效率（24%-26%） 晶体生长： N-型、CFZ单晶、DW技术 多晶硅材料：流床法（成本12美元/千克） 本地化的系统制造 （GW中心等） 少人化、高效化、 高薪化、自动化 DW技术、低成本工艺 200mm FZ Crystal 150mm FZ Crystal 直径(mm) Φ104 Φ150 Φ200 Φ250 熔区深度(mm) 15 25.6 68.9 123 熔区体积(cm3) 33 136.78 1178 4085 熔区质量(g) 77.4 318.69 2745 9519 最大热应力（Mpa） 99 126 259 279 3.1 大直径区熔单晶研发的主要手段-- 晶体生长模拟 8英寸晶体点缺陷分布 8英寸晶体弹性热应力分布 8英寸熔区温度液流分布 8英寸熔区温度分布 8英寸晶体温度分布 3.1.1 晶体生长模拟分析（熔体流场-晶体温场） 3.2 实际单晶生长过程中热应力过大导致的单晶破裂 生长参数的合理调整（如晶体生长