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第一章 半导体衬底 主讲：张彦 E-mail: zhangyan@hfut.edu.cn 合工大电物学院微电子学教研室 本章内容 ? 硅的晶体结构 ? 晶向、晶面、堆积模型 ? 硅晶体中缺陷和杂质 ? 晶体生长 ? 硅片的制备 一、硅的晶体结构 固态物质都是以晶体或非晶体的形式存在  ? ? ? 晶体：原子按一定规律周期排列 单晶体：内部所有原子都按一定规律周期排列 多晶体：由许多小的晶粒无规则的堆积而成。 特点：长程无序 半导 体的 主要 结构 形式  无 定 形  Crystalline  Amorphous  Polycrystalline A C  B 合肥工业大学物理系 微电子教研室 张彦  A.无定形 B.单 晶 C.多 晶 一、硅的晶体结构  ?  硅是微电子工业中应 用最广泛的半导体材 料，占整个电子材料 的95％左右，人们 对它的研究最为深入 ，工艺也最成熟，在  键角：109o28′ 集成电路中基本上都 是使用硅材料。 硅四面体结构 硅、锗、砷化镓电学特性比较  ? ?  锗应用的最早，一些 分立器件采用；砷化 镓是目前应用最多的 化合物半导体，主要 是中等集成度的高速 IC，及超过GHz的模 拟IC使用，以及光电 器件 从电学特性看硅并无 多少优势 硅作为电子材料的优点  ? ? ? ? ? ?  原料充分； 硅晶体表面易于生长稳定的氧化层，这对于保 护硅表面器件或电路的结构、性质很重要； 重量轻，密度只有2.33g/cm3； 热学特性好，线热膨胀系数小，2.5*10-6/℃ ， 热导率高，1.50W/cm·℃； 单晶圆片的缺陷少，直径大，工艺性能好； 机械性能良好。 1、硅晶体特点  ?  硅具有金刚石立方晶格 的晶体结构  （ diamond cubic lattice  0 A ） 0 A ? 晶格常数 a=5.43 （简立方格之边长） A —— （约2.35 ） （最邻近原子间距就是 1/4对角线长度） 2、硅原子密度（原子数/体积）  ?  硅的金刚石结构可看成是 两个面心立方晶格套构而 成。 在这个立方单元内： ? 顶角：8个原子，折合成 属于该晶格的原子数为 1/8*8=1个 ? 面心上：6个原子，折合 原子数为1/2*6=3个 ? 空间对角线：4个原子  硅原子密度:（1+3+4)/a3=  5.22 ?10 22 / cm3 3、复式格子和正四面体结构  ? ?  晶格内包含着两类不等价的硅原子。一类处于 立方体的面心和顶角（A）；另一类处于立方 体的体对角线上（B）；两类原子数目相同。 硅晶体结构可看成是由两 套面心立方沿空间对角线平 移1/4对角线长度套构而成， 其共价键在空间的取向对同 一套面心立方格子相同，对 不同套格子不同，形成复式 格子。 4、硅原子空间占有率  ?  定义：晶体中最小原子间距的二分之一为硬球 （原子）半径，又称共价半径。  硅原子半径：  rsi ?  3 8  0 a ? 1.175 A  ? 4 3 ? ? ?  ? ? rsi 3  ? ? a / 8 ? ?  ?  结论：硅晶体结构特点——内部存在着相当大 的空隙(便于其它小半径原子（杂质）的存在和运动). 二、晶向、晶面和堆积模型 1、晶向基本概念  ? ? ? ? ?  晶列：晶格中原子可以看成是排在一系列方向相同的平行 直线系上（相互平行），这些直线系称~~。 同一晶体中存在许多取向不同的晶列，不同取向的晶列上 原子排列情况一般不同。 晶体的许多性质都与晶列方向有关。 晶向:晶列的方向。通常用其表示一族晶列（直线系）所 指的方向。 晶向指数：任何一个晶列的方向都可以由连接晶列中相邻 两个原子（格点）的矢量表示： A ? m1 x ? m2 y ? m3 z 一般写成 ?m1, m2 , m3 ? ，称晶向指数 等价的晶向指数： m1, m2 , m3 举例：一个简单晶格，以格点0为顶点，三 边分别为基矢 x, y, z  ? ?  OB：连接晶列中相邻格点的矢量，长度只有在X方向上 分量为a,其余为零。m1=1,m2=m3=0,即此晶列的晶向指 数为[100]。 等价晶向指数: 6个，记作100, XYZ轴的正反方向. OA:[111]，8个等价晶向指数 （空间对角线的8个方向）  ?  OC：[110]，12个等价晶向  指数（三个平面轴的夹角平分 线的正反方向） 2、原子线密度 ? 概念：某晶向上单位长度内的原子数目。 ? [100]及其等价晶向上： 2 ? 1 1 2 ? 1 ? 2a 2a a ?  1 2 ?