4纳米材料的制备.pptVIP

（xrd） （3）可能的应用领域 传感器 场发射显示器 纳米高密度磁记录 Finland, Suntola. ALD技术的商业应用是由Suntola和他的合作者在70年代中期发展起来的，为了生产薄膜电致发光平板显示器，现在已经发展到多种工业应用，包括半导体器件的生产。 原子层沉积 Atomic Layer Deposition 原子层沉积 Atomic Layer Deposition 将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。 单原子层沉积（atomic layer deposition，ALD），又称原子层沉积或原子层外延（atomic layer epitaxy） ，最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器。到了20世纪90年代中期，人们对这一技术的兴趣在不断加强，这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件中的高宽比不断增加，这样所使用材料的厚度降低值几个纳米数量级 。因此原子层沉积技术的优势就体现出来，如单原子层逐次沉积，沉积层极均匀的厚度和优异的一致性等就体现出来，而沉积速度慢的问题就不重要了。以下主要讨论原子层沉积原理和化学，原子层沉积与其他相关技术的比较，原子层沉积设备，原子层沉积的应用和原子层沉积技术的发展。 原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层沉积的关键。气相物质在原子层沉积 基体材料的表面吸附特征可以看出，任何气相物质在材料表面都可以进行物理吸附，但是要实现在材料表面的化学吸附必须具有一定的活化能，因此能否实现原子层沉积，选择合适的反应前驱体物质是很重要的。 原子层沉积周期图示 一般的沉积速率是1埃/cycle，有时基片表面没有形成单分子层大都是因为先驱体化合物基团的阴影效应；通过控制周期数达到精确控制薄膜生长的厚度，通常薄膜厚度从几个纳米到几个微米。 原子层沉积 Atomic Layer Deposition 保形性 极佳的保形性是原子层沉积的独特优点 ALD 原子层沉积 Atomic Layer Deposition ELECTRODE DEPENDENCE OF RESISTIVE SWITCH 再 见 金刚石、石墨、C60和纳米碳管 2、制备 碳蒸发法 电弧法、激光烧蚀法等 催化热解法 含碳气体、有机金属化合物催化热解等 固相热解法 本体聚合物在空气中热解等 电化学法 炭电极熔融盐电解等 含碳无机物转化法 碳化硅表面热分解等 低压烃火焰法 扩散火焰法 环芳构化形成筒状齐聚物法 电弧法、激光烧蚀法合成的纳米碳管已商品化 合成碳纳米管的方法： 1) 石墨电弧法 是最早的、最典型的碳纳米管合成方法。 基本原理：电弧室充惰性气体保护，两石墨棒电极靠近，拉起电弧，再拉开，以保持电弧稳定。放电过程中阳极温度相对阴极较高，所以阳极石墨棒不断被消耗，同时在石墨阴极上沉积出含有碳纳米管的产物。 影响因素：载气类型、气压、电弧的电压、电流、电极间距等。 理想的工艺条件：氦气为载气，气压 60—50Pa，电流60A～100A，电压19V～25 V，电极间距1 mm～4mm，产率50％。在石墨棒中掺杂金属Fe、Co、Ni催化剂，改善碳纳米管产量和质量。Iijima等生产出了半径约1 nm的单层碳管。 优 点：4 000K的高温碳纳米管最大程度地石墨化，管缺陷少，比较能反映碳纳米管的真正性能。 缺 点：电弧放电剧烈，难以控制进程和产物，合成物中有碳纳米颗粒、无定形炭或 石墨碎片等杂质，碳管和杂质 融合在一起，很难分离。 2) 浮动催化法（即碳氢化合物催化分解法，又称CVD法） 是目前使用最多和最有希望实现批量生产的工艺之一。 基本原理：将有机气体(如乙炔、乙烯等)混以一定比例的氮气作为压制气体，通入事先除去氧的石英管中，在一定的温度下，在催化剂表面裂解形成碳源，碳源通过催化剂扩散，在催化剂后表面长出碳