陈朝--太阳能级多晶硅标准建议-.ppt

单晶硅少子寿命与电阻率关系（实验图） 资料来源：美国半导体硅材料手册（P型单晶硅：0.5-3Ω-cm 对应少子寿命2-5μs ） 四、结晶学参数指标 1、切片的方向： 晶界对多子构成势垒，对少子构成复合中心，对光生电流构成串联电阻。 如果太阳光沿多晶硅定向凝固生长的方向入射，光生载流子沿垂直方向运动，没有横穿晶界，晶界的负面影响将大大减少。 所以，虽然多晶硅没有固定的晶向，但必须沿定向凝固方向切片，以保证阳光沿定向凝固生长的方向入射，提高电池光电转换效率。 2、晶粒大小对电池性能的影响： 其中，Leff为有效少子扩散长度 L为晶粒内少子扩散长度 G为粒径大小 w 晶界势垒宽度 粒径大于4mm多晶硅的转换效率接近单晶 3、晶片厚度： 从硅太阳电池的数值模拟知道，硅片对太阳电池吸收光的有效作用，不到100微米； 现在硅片约～250微米。 减少厚度可以提高材料利用率，但太薄的晶片容易破碎，尤其是对多晶硅材料。 目前工艺条件下，建议 ～200微米厚度为宜。 五、小结（仅供参考！） 化学纯度总要求：6N~7N(不计O、C） Fe等金属总量1ppmw B0.4ppmw P 0.8ppmw O5ppma（～ 5x1017cm－3）， C 1.6ppma(～ 8.25x1016cm－3) , N 0.01ppma(～ 5x1014cm－3) 。 半导体参数要求： 导电类型：p-型 电阻率： ρ ：一般0.5～3Ωcm，高阻：5～10 Ωcm 少子寿命：1μs 补偿度? 导电类型：n-型, 可防止光致衰减现象，但要完善器件工艺。 结晶学参数要求： 必须进行定向凝固； 切片方向：和定向凝固方向垂直； 晶粒直径：4mm； 晶片厚度：～200μm。 四、南昌标准化会议简介 （1）太阳能级多晶硅块： 产品按外形尺寸（长×宽）分为125mm×125mm和156mm×156mm，且有效高度应≥10cm,或由供需双方协商。 多晶硅块垂 直度、倒角尺寸和倒角角度的定义 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准起草单位：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、 西安隆基硅材料股份有限公司 本标准主要起草人：万跃鹏 唐骏 张群社 游达 金虹 段育红 （2）太阳能级多晶硅片 性能 太阳电池用多晶硅片电阻率范围为0.5-3.0Ω·cm，或由供需双方协商；其检测按GB/T 1551或GB/T 6616进行。 导电类型: P型或由供需双方协商；其检测按GB/T 1550进行。 氧含量：太阳电池用多晶硅片的间隙氧含量应小于 1×1018atoms/cm3 ，或由供需双方协商； 碳含量：太阳电池用多晶硅片的代位碳含量应小于 5×1017 atoms/cm3 ，或由供需双方协商。 太阳电池用多晶硅片规格系列 外形尺寸，mm 125×125 156×156 硅片厚度，mm 160 180 200 220 表2 太阳电池用多晶硅片几何尺寸及公差要求 外形尺寸，mm ±0.5 倒角尺寸，mm 1.5±0.5 硅片厚度T，mm ± 10% TTV（总厚度变化）mm ≤ 20% 弯曲度 bow，μm ≤75 相邻两边的垂直度 ° 90°±0.25° 单条线痕Ry值?mm ≤15 密集型线痕mm 当Ry≤10mm 时无总数量限制，当Ry＞10mm 时硅片线痕数量应≤ 10条 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准起草单位：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司 本标准主要起草人：万跃鹏 唐骏 游达 段育红 （3）多晶硅企业单位产品能耗限额 本标准起草单位： 洛阳中硅高科技有限公司、多晶硅制备技术国家工程实验室、中国恩菲工程技术有限公司。 本标准参加起草单位： 重庆大全、江西塞维ldk、江苏中能、四川新光、东汽峨嵋、陕西天宏、宜昌南玻、 本标准主要起草人：严大洲、汤传斌、肖荣晖、万烨、杜骏平、袁金满 本标准规定了多晶硅企业单位产品能源消耗（以下简称能耗）限额的技术要求、统计范围、计算方法、计算范围、节能管理与措施。 本标准适用于所有以工业硅、氯