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LED制程培训课件
LED芯片前制程培训课件 LED产业链 目前主流Led结构剖析 芯片产线产品 LED制程 外延片 光刻一 ICP刻蚀 ITO蒸镀 光刻二 合金 光刻三 PAD蒸镀 剥离清洗 退火 溅射SIO2 光刻四 COW抽测 LED制程 研磨抛光 划片 裂片 翻膜 目检 点测 分选 打标入库 外延片清洗 2.清洗工艺: ,快排冲洗甩干。每一批次用现配的溶液。 3.注意事项:配酸时注意小心操作,将酸加入到水中,防止酸溅射到身上。 1.目的 利用物理化学清洗的方式去除外延片表面污物。 光刻一 1.目的 利用复印图像技术形成所需要的图形,为利用ICP刻蚀技术刻蚀出所需要的N区做准备。 2.基本工艺步骤 3.质量控制点 (1)图形质量 (2)表面状况 (3)显影均匀性 (4)胶厚 ICP刻蚀 1.目的 利用高能离子对外延片表面未保护部分进行刻蚀,露出N区,便于制作N区电极。 2. 基本操作过程 3.质量控制点 (1)刻蚀深度-----目标厚度11000±2000A(2)刻蚀表面状况 ITO蒸镀 1.目的 在刻蚀后的外延片表面蒸镀电流扩展层材料,制作P极欧姆接触。 2.基本操作过程 3.质量控制点(1)膜厚(2)均匀性(3)表面状况(4)方阻<10 Ω 、透光率>90% 光刻二 1.目的 套刻出所需的电流扩展层图形。 2.基本工艺步骤 腐蚀:常温腐蚀 3.质量控制点 (1)图形质量 (2)表面状况 (3)显影均匀性(4)对版 合金 1.目的 利用重掺杂的方法形成低阻的欧姆接触电极。 2. .基本操作过程 3.质量控制点 合金后方阻<24Ω,透光率>92% 光刻三 1.目的 套刻出电极图形,准备电极的蒸镀。 2.基本操作过程 3.质量控制点 (1)图形质量 (2)表面状况 (3)显影均匀性(4)对版 电极蒸镀、剥离 1.目的 在外延片表面蒸镀所需要的金属材料,做出芯片电极。 2.基本操作过程 3.注意事项 1.清洗好的外延片应尽快置于真空室内,不得再长时间裸露在空气中,如清洗后的外延片裸露在空气中超过二个小时,应重新清洗。 2. 开蒸发台前若停电,应立即关机。 3.开蒸发台前一定要开冷却水,并保证水压达到规定要求,如水压不足,应立即通知工艺人员或机修人员,水压不达要求,不得开机或停止蒸发。 4.蒸发时,使用10KV高压,所以一定要注意,不要碰高压电源。 5.测膜厚的晶体片,其健康系数下降到一定值时,就应更换。如在蒸发过程中晶体失效,可根据蒸发时间来推算膜层厚度,然后改用手动操作方式继续蒸完。 6.蒸发完一层金属,应等使用过的坩埚冷却后再转动坩埚,让待使用坩埚处于蒸发位置。 7.蒸发过程中注意观察蒸发状况,如蒸发速率、膜厚显示,蒸发功率、坩埚状态等,如不符合要求,应作适当调整,若仍无效,应通知工艺人员或设备维修人员。 8.蒸发台是贵重设备。操作者需阅读操作说明和学会操作后,才可独立操作。 剥离清洗: 质量控制点 (1)表面状况(2)图形质量 退火 1.目的 提高电极的粘附性,消除前工序过程中产生的内应力,达到稳定芯片性能的目的。 2.基本操作过程 (3.注意事项 1 .如尾气瓶中没有汽泡鼓出,说明系统漏气,不能进行合金,应查明原因,不再漏气后才能进行合金。 2. 在进行PAD退火时,不能在温度较高时提前取片,以免发生电极氧化。
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