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LED芯片前制程培训课件 LED产业链 目前主流Led结构剖析 芯片产线产品 LED制程 外延片 光刻一 ICP刻蚀 ITO蒸镀 光刻二 合金 光刻三 PAD蒸镀 剥离清洗 退火 溅射SIO2 光刻四 COW抽测 LED制程 研磨抛光 划片 裂片 翻膜 目检 点测 分选 打标入库 外延片清洗 2.清洗工艺： ，快排冲洗甩干。每一批次用现配的溶液。 3.注意事项：配酸时注意小心操作，将酸加入到水中，防止酸溅射到身上。 1.目的 利用物理化学清洗的方式去除外延片表面污物。 光刻一 1.目的 利用复印图像技术形成所需要的图形，为利用ICP刻蚀技术刻蚀出所需要的N区做准备。 2.基本工艺步骤 3.质量控制点 （1）图形质量 （2）表面状况 （3）显影均匀性 （4）胶厚 ICP刻蚀 1.目的 利用高能离子对外延片表面未保护部分进行刻蚀，露出N区，便于制作N区电极。 2. 基本操作过程 3.质量控制点 （1）刻蚀深度-----目标厚度11000±2000A（2）刻蚀表面状况 ITO蒸镀 1．目的 在刻蚀后的外延片表面蒸镀电流扩展层材料，制作P极欧姆接触。 2.基本操作过程 3.质量控制点（1）膜厚（2）均匀性（3）表面状况（4）方阻＜10 Ω 、透光率＞90% 光刻二 1.目的 套刻出所需的电流扩展层图形。 2.基本工艺步骤 腐蚀：常温腐蚀 3.质量控制点 （1）图形质量 （2）表面状况 （3）显影均匀性（4）对版 合金 1．目的 利用重掺杂的方法形成低阻的欧姆接触电极。 2. .基本操作过程 3.质量控制点 合金后方阻＜24Ω，透光率＞92% 光刻三 1.目的 套刻出电极图形，准备电极的蒸镀。 2.基本操作过程 3.质量控制点 （1）图形质量 （2）表面状况 （3）显影均匀性（4）对版 电极蒸镀、剥离 1．目的 在外延片表面蒸镀所需要的金属材料，做出芯片电极。 2.基本操作过程 3.注意事项 1.清洗好的外延片应尽快置于真空室内，不得再长时间裸露在空气中，如清洗后的外延片裸露在空气中超过二个小时，应重新清洗。 2. 开蒸发台前若停电，应立即关机。 3.开蒸发台前一定要开冷却水，并保证水压达到规定要求，如水压不足，应立即通知工艺人员或机修人员，水压不达要求，不得开机或停止蒸发。 4.蒸发时，使用10KV高压，所以一定要注意，不要碰高压电源。 5.测膜厚的晶体片，其健康系数下降到一定值时，就应更换。如在蒸发过程中晶体失效，可根据蒸发时间来推算膜层厚度，然后改用手动操作方式继续蒸完。 6.蒸发完一层金属，应等使用过的坩埚冷却后再转动坩埚，让待使用坩埚处于蒸发位置。 7.蒸发过程中注意观察蒸发状况，如蒸发速率、膜厚显示，蒸发功率、坩埚状态等，如不符合要求，应作适当调整，若仍无效，应通知工艺人员或设备维修人员。 8.蒸发台是贵重设备。操作者需阅读操作说明和学会操作后，才可独立操作。 剥离清洗： 质量控制点 （1）表面状况（2）图形质量 退火 1．目的 提高电极的粘附性，消除前工序过程中产生的内应力，达到稳定芯片性能的目的。 2.基本操作过程 （3.注意事项 1 .如尾气瓶中没有汽泡鼓出，说明系统漏气，不能进行合金，应查明原因，不再漏气后才能进行合金。 2. 在进行PAD退火时，不能在温度较高时提前取片，以免发生电极氧化。