《集成电子技术》_随机存储器.pptVIP

12.3.1.1 存储矩阵 一片RAM芯片所能存储的信息量是一定的，当所要存储的信息量大于RAM的存储容量时，往往把多片RAM组成一个容量更大的存储器，以满足实际工作的需要。访问存储器时，每次只与其中的一片或几片交换信息，这种信息的交换就是通过片选控制端 进行控制的。 表示片选信号低电平有效，当多片RAM组合在一起时，只有 的那一片才能工作，其余的各片因 而不工作。于是只有 的那一片RAM的输入/输出端与外部总线接通，交换数据，而其余各片的输入/输出端呈现高阻态，虽然挂接在总线上，也不能进行数据交换。 12.3.2.2 动态存储单元 动态存储单元是利用MOS管的栅极电阻十分大，栅极电容上存储的电荷短时间内不易消失，从而对信号可起到存储作用。但是时间不能太长，时间一长存储的信息就会丢失，所以动态存储器，需要隔一段时间就对栅极电容补充电荷，通常把这种操作称为刷新。因此DRAM的外围要配备刷新电路和相应的控制电路，电路要复杂一些。 右图是一个三MOS管 动态单元，信息存储在VT2管 的栅极电容Cg上，用Cg上的电 压控制VT2的状态。 读选择线和写选择线，读 数据线和写数据线是分开的。 读字线控制VT3管， 写字线控制VT1管。 VT4管是同列若干存储单元 的写入时的预充管。 A10和A11取00、01、10和11四个状态对应的控制关系见表12.3.1，由表可以确定当A10和A11处于不同状态时，四片RAM分别被选中，其所对应的存储单元即可进行读/写操作。 * HIT集成电子技术电子教案------随机存储器 12.3 随机存储器 12.3.1 静态RAM的结构和工作原理 12.3.2 RAM的存储单元 12.3.3 集成RAM及容量的扩展 RAM是Random Access Memory的缩写，通常称为随机存储器，也称为读写存储器。它的特点是在工作过程中，数据可以随时写入和读出，使用灵活方便，但所存数据在断电后消失。 RAM按着工作原理分为: 1. 静态随机存储器SRAM：只要不断电，数据不丢失 2. 动态随机存储器DRAM：通电时要不断对存储的数 据进行刷新，否则数据丢 失 RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读/写控制电路组成，RAM的读、写操作由读/写控制电路管理。 RAM的核心是基本存储单元，其结构有双极型和MOS型两种，双极型的已经很少使用。 12.3.1 静态RAM的结构和工作原理 SRAM的存储矩阵由许多存储单元构成，每个存储单元存放 1 位二进制码，“0”或“1”。与ROM 存储单元不同的是，RAM存储单元的数据不是预先固定的，而是由外部的信息决定的。要存储这些信息，RAM存储单元必须用具有记忆功能的电路，如触发器等电路构成。 12.3.1.2 地址译码器 地址译码器是最小项译码器，也称为N中取1译码器，一个地址码对应一条字线。当某条字线被选中时，与该字线相联系的存储单元就与数据线相通，以便实现读取数据或写入数据。 图12.03.01 RAM的结构框图 12.3.1.3 读/写控制电路 当一个地址码选中相应的存储单元时，是读还是写，可采用高电平或低电平作为读写控制信号。当读/写控制信号 时 ，执行读操作，RAM将存储矩阵中的内容送到输入/输出端（I/O）； 当时 ，执行写操作，RAM将输入/输出端上的输入数据写入存储矩阵。在同一时间内不可能同时执行读/写指令，读和写的功能只能一项一项地执行。因此可以将输入线和输出线放在一起，合用一条双向数据线（I/O），利用读/写控制信号和读/写控制电路，通过I/O线读出或写入数据。 12.3.1.4 片选控制电路 12.3.2 RAM的存储单元 RAM按着工作原理分为 （1）静态随机存储器SRAM(Static Random Access Memory) （2）动态随机存储器DRAM(Dynamic Random Access Memory) 12.