第章：嵌入式系统硬件设计.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * 闪存 (FLASH) （1/6） Flash的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”，利用高电场改变浮动闸临限电压即可进行编程动作。 闪存是EEPROM变种，EEPROM是在字节水平上进行删除和重写；闪存是整个芯片擦写 具有SRAM读写的灵活性和较快的访问速度，又具有ROM在断电后可不丢失信息的特点 产品类型 SM卡、CF卡、MMC卡、SD卡、Memory Stick（记忆棒）、和SSD等。   * 闪存 (FLASH) （2/6） 全球闪速存储器的技术主要掌握在AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SHARP、TOSHIBA，由于各自技术架构的不同，分为几大阵营。? ?NOR技术 NAND技术 AND技术 由EEPROM派生的闪速存储器  * 基于NOR技术闪速存储器 Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。 特点： 以字节为单位读写与编程，可靠性高、随机读取速度快；擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大； 应用： 在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。 在纯数据存储和文件存储应用中，力不从心。 闪速存储器(FLASH) （3/6） * 基于NAND技术闪速存储器 1989年，东芝公司发表了NAND flash； Samsung、Toshiba和Fujitsu支持NAND技术Flash?Memory。 特点： 以页为单位进行读和编程操作，具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。 芯片尺寸小，引脚少，是位成本最低的固态存储器。 应用： 适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA?ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。 闪速存储器(FLASH) （4/6） * 基于AND技术的闪速存储器 ?是Hitachi公司的专利技术，Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技术的Flash?Memory。 芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低 AND技术与NAND一样，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。 用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。 闪速存储器(FLASH) （5/6） * EEPROM派生的闪速存储器 部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory，如ATMEL的海量存储器（Data-Flash Memory）。 具有EEPROM与NOR技术二者折衷的性能特点： 读写灵活性逊于EEPROM，不能直接改写数据； 与EEPROM比较，具有明显的成本优势； 存储密度比EEPROM大，但比NOR技术Flash Memory小 闪速存储器(FLASH) （6/6） 固态硬盘SSD （Solid State Disk） 由控制单元和存储单元（DRAM或FLASH芯片）两部分组成，存储单元负责存储数据，控制单元负责读取、写入数据。 分类 基于闪存的SSD，即SSD。外观可以被制作成多种模样，例如：笔记本硬盘、微硬盘、存储卡、优盘等样式。 ?基于DRAM的SSD：采用DRAM作为存储介质，目前应用范围较窄。 优点： 速度快 耐用防震 无噪音 重量轻 * 　　 * 课程大纲 ? 嵌入式系统设计 ? 嵌入式体系结构 ? 嵌入式存储体系 ? 嵌入式系统IO体系 总线结构（1/2） 总线结构 (2/2) * 总线 (1/7) 总线的带宽 指的是一定时间内总线上可传送的数据量，即常说的每秒钟传送多少MB 的最大稳态数据传输率。 总线的带宽＝总线的工作频率*总线的位宽/8 总线的位宽 指的是总线能同时传送的数据位数，即常说的32 位、64 位等总线宽度的概念。 总线的工作时钟频率 是指以MHz 为单位，工作频率越高则总线工作速度越快，即总线带宽越宽。 * ISA总线 (2/7) ISA总线: (Industry Standard Architecture:工业标准 体系结构）是IBM公司为PC/AT电脑制定的总线标准， IBM 公司于1981 年推出的基于8 位机PC/XT 的总线; 1984年推出IBM-PC/AT系统，ISA从8位扩充到16位， 地址线从20条扩充到24条。 198