模电期末复习填空题(09级)(学生用).docVIP

期末复习填空题(共177空) 1、BJT三极管内部有 个PN结，JFET三极管内部有 个PN结,MOS场效应管共有 种类型。 2、当场效应管的漏极静态电流增大时，它的低频跨导gm将 。 3、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力 。电子型半导体称为 型半导体。 4、二极管最主要的特性是 。温度升高时，二极管的反向饱和电流 。 5、PN结加正向电压，空间电荷区将 ；PN结加反向电压，空间电荷区将 。 6、稳压管通常工作在 区，反向电流在较大范围内变化时，两端电压 。 7、BJT三极管是 控制器件，除共射连接外还有 和 连接方式。场效应管是 控制器件。 8、P型半导体是在本征半导体中掺入了 原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是 。 9、杂质半导体的导电性能决定于 。 10、PN结反偏电压越大其势垒电容越 。 11、N型半导体是在本征半导体中掺入了 价元素的原子，其多数载流子是 。 12、二极管的伏安特性方程为 。 13、BJT三极管工作在放大状态时，发射结 偏，集电结 偏；当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是 。 14、P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素的原子，其多数载流子是 。 15、二极管正向导通时的交流电阻rd≈ ；二极管的整流作用是利用了PN结的 特性。 16、BJT三极管工作在饱和状态时，发射结 偏，集电结 偏。 17、当温度升高时，BJT三极管集射极之间的穿透电流ICEO变化的趋势是 。 18、N型半导体是在本征半导体中掺入了 原子（填“受主”或“施主”），其少数载流子是 。 19、PN结有两种电容效应，除扩散电容外还存在 电容。 20、一般二极管 作稳压二极管使用；稳压二极管 作一般二极管使用（填“能”或“不能”）。 21、三极管工作在放大状态时，发射结电流是 电流，集电结电流是 电流（填“正向”或“反向”）。 22、按结构不同场效应管分为 型和 型两大类。 23、温度升高时，杂质半导体中的 （填“少子”或“多子”）浓度明显增加。 24、二极管在温度升高时，正向特性曲线 移；反向特性曲线 移。 25、稳压管是利用了二极管的 特性制成的。 26、在JFET、增强型MOSFET及耗尽型MOSFET中，UGS=0V时能够工作在恒流区的FET 是 和 。 27、如果BJT三极管电极电位分别为-2.5V，-3.2V，-9V，则可以判断此三极管为 型三极管。 28、由NPN管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太 时，易产生饱 和失真，输出电压波形被削去 ；饱和失真时集电结 偏。 29、图1所示是N沟道JFET的转移特性曲线，其饱和漏极电流IDSS= mA，夹断电 UGS(off)= V。 图1 30、图2所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。 图2 31、在NPN型单管共射放大电路中，当信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图3所示，则该电路产生了 失真（填“饱和”或“截止”）。 图3 32、图4所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。 图4 33、在NPN型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图5所示，说明电路产生了 失真（填“饱和”或“截止”）。 图5 34、图6所示场效应管可能工作在 区（填“夹断”或“恒流”）。 图6 35、在PNP型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7所示，说明电路产生了 失真（