霍耳效应及其应用(wz).docVIP

霍耳效应及其应用 一、实验目的 掌握霍耳效应的原理； 测绘霍耳元件的VH-IS，VH-IM曲线，了解霍耳电压VH与霍耳元件工作电流IS、励磁电流IM（磁感应强度）之间的关系； 学会利用霍耳效应测量磁感应强度的方法； 学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二、实验仪器 霍耳效应实验仪、霍耳效应测试仪 三、实验原理 1．霍耳效应 若将通有电流的导体置于磁场B中，磁场B（沿轴负方向）垂直于电流IS（沿x轴）的方向，如图1-1所示，则在导体轴方向上产生一个电势差VH，这种现象称为霍耳效应，该电势差称为霍耳电压。 图1-1 霍耳效应 这一效应对金属来说并不显著，但对半导体较为显著。霍耳效应是由于运动电荷在磁场中受到洛伦兹力作用而产生的。半导体中的电流是由载流子（电子或空穴）的定向运动形成。当电流沿轴正向流过半导体（假设为N型）时，半导体内的载流子为电子，平均迁移速率为，则载流子受到的洛伦兹力的大小为 （1-1） 在的作用下，电子流发生偏转，聚积在半导体的端面上A’上，而使端面A上出现剩余正电荷。由于电荷的聚积形成一个纵向电场，方向由A指向A’，电场对载流子产生了方向和相反的静电力，其大小为 （1-2） 阻碍着电荷的进一步聚积，最后达到动态平衡状态，即 （1-3） （1-4） 其中为霍耳片宽度，为A、A’间的霍耳电势差，霍耳电势差就是由这个电场建立起来的。 由于霍耳片中的电流与霍耳片的载流子浓度、载流子电荷、迁移速率以及霍耳片的截面积之间的关系为，则空穴的速率，代入式（1-4）有 （1-5） 式（1-5）中，称为霍耳系数；称为霍耳元件的灵敏度，单位为mV/(mA·T)，它的大小与材料特性、霍耳片厚度有关。 由式（1-5）可以看出，知道了霍耳片的灵敏度KH，只要分别测出霍耳片中的电流IS及霍耳电势差即可算出磁场的大小，这就是霍耳效应测磁场的原理。 2．实验中的副效应及其消除原理 在实际测量过程中，还会伴随着各种副效应，产生的附加电压叠加在霍耳电压之上，形成系统误差，这些副效应有： （1）不等位电势差 由于制作霍耳元件时，霍耳电压的两根引线不可能绝对的焊在同一个等势面上，因此即使不加磁场，只要霍耳片上通以电流，两引线间就有一个电势差，，方向随的换向而改变，与磁场方向无关。大小在所有附加电势中居首位。 （2）爱廷豪森效应 当放在磁场中的霍耳片通以电流后，由于载流子迁移速率不同，载流子所受的洛伦兹力不相等。在到达动态平衡时，慢速和快速载流子在洛伦兹力和静电力的共同作用下，沿轴分别向相反的两侧偏转，从而导致霍耳片一面出现快速载流子，温度高，一面出现慢速载流子，温度低，于是两端面形成温度差，这一温差在两端面间产生温差电动势，，方向随、的换向而改变。 （3）能斯托效应 由于霍耳片中电流的两个电极与霍耳元件的接触电阻不同，通电后在两极处发热程度不同，引起两极间的温差电动势，此电动势又产生温差电流（热电流），这个电流在磁场作用下，也会在方向产生电势差，，方向随的换向而改变。 （4）里纪-勒迪克效应 上述热电流的载流子迁移速率不尽相同，在磁场作用下，类同于爱廷豪森效应，霍耳片两端面形成温度差，从而引起附加电动势，，方向随的换向而改变。 （5）附加电动势 霍耳片所在空间如果沿轴方向有温度梯度，在测量回路中会产生温差电动势；霍耳片和外电路由于绝缘不足等原因在测量回路产生的泄漏分压，以及仪表零位调整不好引起的系统误差，它们使霍耳电压指示仪表产生一个定值附加电动势，方向与、无关。 可见，上述五种副效应总是伴随着霍耳效应一起出现，实际测量的电压值是综合效应的结果，即：、、、、、的代数和，而不只是。为了消除这些副效应，本实验采用的方法很巧妙：通过改变、的方向，使、、、从计算中消失。 但因为与随、同步的变化，故而通过改变、方向的方法不能消掉。但引起的误差很小，，可以忽略。 综上所述，在确定磁场和电流的条件下，实验时需要测量下列四组数据： 当为正，为正时，测得电压 当为正，为负时，测得电压 当为负，为负时，测得电压 当为负，为正时，测得电压 由上面可得 或 当时， 或 四、实验内容和要求 为了准确测量，先对测试仪的20mV电压表进行调零。调零时用一根连接线将电压表的输入端短路，然后调节接线孔右边的调零电位器，使电压表显示值为0.00mV。 测