CVD化学与薄膜工艺1节.pptVIP

LPCVD (low pressure CVD) End-feed LPCVD Distributed-feed LPCVD APCVD (Atmospheric pressure CVD) Horizontal tube reactor Plenum-type continuous processing reactor Conveyor belt HC-PCVD化学气相沉积系统 HC-PCVD热阴极直流等离子体化学气相沉积系统。我室在国际上首创的制备金刚石膜的方法，目前已获得国家发明专利，该方法具有沉积速率高，沉积面积大，膜品质高等突出优点。 EA-CVD化学气相沉积系统 ????????????????????????????????? 简介　　EA-CVD电子辅助热灯丝化学气相沉积系统。目前较流行的制备大面积金刚石厚膜方法。我室在此方法的灯丝排步方式、电源系统设计及工艺条件的优化等方面具有独到之处。 磁控与离子束复合溅射系统 ????????????????????????????????? 简介　　主要用于制备CNx等新型功能薄膜材料，还用于金刚石膜表面金属化，可进行各种金属、化合物的薄膜沉积研究。 MW-PCVD化学气相沉积系统 简介　　MW-PCVD微波等离子体化学气相沉积系统。属于无极放电方法，并且在较低气压下工作，可得到品质级高的透明金刚石膜，应用于SOD、场发射等领域。 2. The MOVD growth system EA-CVD化学气相沉积系统 ????????????????????????????????? 简介　　EA-CVD电子辅助热灯丝化学气相沉积系统。目前较流行的制备大面积金刚石厚膜方法。我室在此方法的灯丝排步方式、电源系统设计及工艺条件的优化等方面具有独到之处。 实验室CVD设备（1） 实验室CVD设备（2） 实验室CVD设备（3） 实验室CVD设备（4） 2。4 CVD技术分类（历史性发展） 1）从源物质的种类 ★卤化物CVD (60-70 年代） ★MOCVD （1976年） 2）从体系操作压力 ★ 常压（大气压）CVD ★ LPCVD （高度均匀, PLASMA-CVD) 3）从淀积过程能量提供方式 ★电阻加热－热壁CVD， ★冷壁（感应加热）CVD ★ PLASMA（辅助、增强、激活）CVD（PCVD)l ★PHOTO-CVD ★ Laser（辅助、增强、激活）CVD（LCVD) 4）从淀积装置结构形式 ★开管气流CVD ★封管输运CVD ★桶式CVD ★热丝CVD ★单一混合源CVD ★液态源CVD 化学气相淀积与薄膜工艺Chemical Vapor Deposition Thin Film Technology 孟广耀 Tel:3603234 Fax:3607627 mgym@ustc.edu.cn 中国科学技术大学 材料科学与工程系 固体化学与无机膜研究所 Ch.2 化学气相淀积的一般化学原理和和技术 2。1 CVD的化学反应体系 2。2 CVD反应器技术 2。3 CVD先驱物 2。4 CVD技术分类 1）从源物质的种类 2）从体系操作压力 3）从淀积过程能量提供方式 4）从淀积装置结构形式 2。1 CVD的化学反应体系 － 热解反应 ?金属氢化物 氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低，唯一副产物是没有腐蚀性的氢气。例如： ?金属有机化合物 金属的烷基化合物，其M—C键能一般小于C－C键能[E(M—C)＜E(C-C)]，可用于淀积金属膜。 元素的氧烷，由于E(M－O)＞E(O－C)，所以可用来淀积氧化物。例如： 2。1 CVD的化学反应体系-热解反应（续） ?氢化物和金属有机化合物体系 热解金属有机化合物和氢化物已成功地制备出许多种III-V族和II-IV族化合物。例如 2。1 CVD的化学反应体系－热解反应续） ?其它气态络合物、复合物 这一类化合物中的碳基化物和碳 基氯化物多用于贵金后(铂族)和其它过渡金属的淀积。如： ?单氨络合物已用于热解制备氮化物。如： 2.1 CVD反应体系－化学合成反应 化学合成反应， 不受源的性质影响，适应性强 化学合成反应示例_同一材料有多种合成路线 Ga2O(Ga+Ga2O3) Ga(CH3)3 Ga(C2H5)3 Ga2H6 Ga GaCl (Ga+HCl) GaCl3 GaBr3 NH3 N2H4 2.1 CVD反应体系－化学输运反应 定义：把所需要的物质当做源物质。借助于适当气体介质与之反应而形成一种气态化合物，这种气态化合物经化学迁移或物理载带(用载气)输运到与源区温度不同的淀积