半导体器件物理教学教程徐振邦半导体器件物理3单元演示文稿.pptVIP

3.4 MOS结构的C-V特性 2. Si-SiO2系统中有效正电荷面密度QSS的影响 受栅氧化层正电荷以及Si-SiO2界面的界面态的影响（通常用QSS来表达），实测C-V曲线通常会发生往左偏移，其偏移量为QSS/Cox。图示①为理想曲线；②为实测曲线。 高频C-V曲线（P-Si衬底） ① ② 考虑到上述两因素，C-V曲线总的平移量为： Al电极 SiO2层 3.4 MOS结构的C-V特性 3.4.4 MOS电容在集成电路中的应用 集成电路中的MOS电容器。集成MOS电容因需占据较大面积，一般单独占用一隔离区，并使用N型衬底。上图是MOS电容器的剖面图，采用PN结隔离，而下图则是其版图。 ① ② 3.5 金属与半导体接触 3.5.1 金属-半导体接触 金属与半导体接触主要是为形成半导体器件的电极系统和完成集成电路中的互连线（即电路的布线），使用最多的金属是Al，其他如Ti、Ni、Cu、Ag、Au等也较常用，如图(a)。 金属-半导体接触可以形成所谓的①整流接触和②欧姆接触，其伏安特性见图(b)所示。 (a) (b) N型半导体 金属 自建电场 N型 半导体 金属 3.5 金属与半导体接触 3.5.2 肖特基势垒与整流接触 (c) (d) 设有一金属和一N型半导体，它们未接触前，能带图如图(c)所示，并假设有WmWs。当它们紧密接触以后，所形成的能带图如图(d)所示，并产生一势