半导体器件物理教学教程徐振邦半导体器件物理二单元演示文稿.pptVIP

2.4 PN结的击穿特性 2.4.2 雪崩击穿电压 如图给出了突变结的雪崩击穿电压与低掺杂一侧杂质浓度的关系曲线，对N型和P型的材料都适用。杂质浓度决定了材料的电阻率，所以为了获得所需的击穿电压，原材料的电阻率要注意选择合适的数值。 突变结击穿电压 2.4 PN结的击穿特性 突变结击穿电压 如图给出了线性缓变结与杂质浓度梯度的关系曲线。从图中可以看出，可以采用降低杂质浓度梯度的方法来提高击穿电压。 雪崩击穿电压不光跟低掺杂区的杂质浓度或杂质浓度梯度有关，还跟材料的禁带宽度有关。在相同的条件下，禁带宽度大的材料，雪崩击穿电压高。 2.4 PN结的击穿特性 2.4.3 影响雪崩击穿电压的因素 杂质浓度的影响 2.外延层厚度的影响 如果外延层厚度小于PN击穿时的势垒区宽度，反向击穿电压将降低。 2.4 PN结的击穿特性 柱面结和球面结区域都会发生电场集中效应，其电场强度要比平面结区域大，所以在这些区域首先会发生击穿，从而使PN结的击穿电压降低。这种效应在扩散结结深较小时，比较严重，因为结深越小，柱面和球面的曲率半径越小，结面弯曲越明显，电场强度更集中，更容易发生击穿。 3.扩散结结深的影响 2.5 PN结的开关特性 2.5.1 PN结的开关作用 负脉冲输入 0 关态 正脉冲输入 0 开态 PN结具有单向导电性，我们可利用其正反向电流相差