半导体器件物理五单元1节.pptVIP

基区穿通 基区穿通 高、低发射结偏压效应 小电流 中等电流 大电流 净复合/净产生= 三角形面积比 净产生相对于净复合非常小，所以净产生可以忽略。 放大状态 理想情况下，集电极电流： 发射效率： 提高g,主要是尽可能提高NE 非理想现象分析 缓变基区 缓变基区——基区杂质分布为任意形式 通过缓变基区的研究，将获得BJT的基区电场分布、载流子分布以及电流分布的公式 作用：引入漂移场，使电子加速，改善晶体管的高频特性。 缓变基区 基区的内建电场的主要作用： 1. 缩短注入电子渡越基区的所需时间，从而改善晶体管的高频特性； 2. 改善基区的传输因子，因为减小渡越基区所需时间可以减小电子在基区的复合。 Gummel数（3.50）：若均匀基区过渡到缓变基区只需将QGB代替WNB。 基区扩展电阻和发射极电流集边效应 基区宽度调变效应Early效应 大注入 基区展宽效应（Kirk效应） 利用N+PNN+四层结构的BJT来分析kirk效应。 Kirk效应发生在集电区，是BJT工作在正向有源区时出现的效应。 Kirk效应 Kirk效应发生在大电流密度情况。 小注入时：此时的电流密度很小，空间可动电荷的影响可以忽略。电场为： Kirk效应 Kirk效应 Kirk效应 Kirk效应 Kirk效应 Kirk效应 对电流增益的影响 对电流增益的影响从两个方面来讨论： 增加了基区的存储电荷