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§1.4 pn结二极管 介绍若干有代表性的pn结二极管。 1.4.1 整流二极管 1.4.2 开关二极管 1.4.3 变容二极管 1.4.4 pin二极管 §1.4 pn结二极管 介绍若干有代表性的pn结二极管。 1.4.1 整流二极管 1.4.2 开关二极管 1.4.3 变容二极管 1.4.4 pin二极管 1.4.1 整流二极管 定义: 允许电流从一个方向通过，而另一个方向呈现高阻阻断状态的器件。 这种器件应用了pn最基本的正反向电流-电压特性。 对偏压微分，得pn结电导: pn结的电流-电压方程: 正偏pn结电导gF和动态电阻rF: 反偏pn电导gR和动态电阻rR : 正反向动态电阻之比: 电阻之比极高---整流特性。 1.4.2 开关二极管 定义:作开关应用的pn结称为开关二极管。 开关二极管是运用了pn结正向电流大，反向电流小的特性。 主要电特性参数为开关响应时间。 t 0: 输入电压Ｖ２(Ｖ２０)，电流为反向饱和电流IＲ。 t=0: 输入电压Ｖ１(Ｖ１０), 达稳定状态时正向电流为 (Ｖ１ Vj ) t=t1: 输入电压跃变为Ｖ２,电流瞬时反向,并在ts时间内近似不变，为 1.基本开关特性 基本开关电路 输入输出波形图 2. 开关特性分析 t 0: 输入电压Ｖ２(Ｖ２０)，电流为反向饱和电流IＲ。 t=0时: 输入电压跳变为Ｖ１(Ｖ１０), 但由于pn结电容效应，电容二端的反向电压Ｖ２不能突变，所以此刻，正向电流跳变为 t≥0时:随电容充电，pn结电压逐渐上升。稳定时达Vj, 正向电流为 CT CD V20 RL V1 + _ _ + P区 n区 t=t1时：电压跃变为Ｖ２,输入电压反向，pn结电容的压降仍为Vj。此时反向电流跳变为 t≥ t1时：势垒电容和扩散电容的放电,Vj逐渐下降到零，之后pn结进入反偏状态，随载流子的释放电流迅速下降，逐渐达到反向饱和电流IR 0 t1 t2 CT CD Vj0 RL V2 + _ + _ P区 n区 3. 基本开关参数 ts =t2-t1---储存时间 tf(t2)---下降时间 机理：pn结空间电荷区电荷和扩散区非平衡少子电荷再分布过程所用的时间。 p n 载流子消失途径：1 . 抽取； 2.复合 ts + tf 称反向恢复时间； 若ts + tf大于负脉冲宽度，二极管不能有效关断 减小ts + tf 措施： 减小QS: 降低正偏，减小少子寿命； 加速QS消失：增大I2，减小少子寿命。 0 t1 t2 1.4.3 变容二极管(可变电抗器) 定义：利用pn结势垒电容随外加偏置电压非线性变化特性而工作的器件。一般工作于反偏。 Ｂ—某一常数； m=0--均匀分布，为单边突变结； m=1--单边线性缓变结； m 1--单边指数缓变结; m 0--称为超突变结。 -5/3 1.基本掺杂结构： 势垒电容随偏压变化的速率与掺杂浓度及分布有关。 p＋n结n区一侧掺杂分布为: 应用：混频、检波、电压调谐，等，希望dC/dV大 2.基本特性: 1. pn结单位面势垒电容为 （解泊松方程） 电容随偏压的变化 ---超突变结最大; 突变结次之; 缓变结最小。 fc---储存能量与消耗能量相等时的频率。截止频率越高，品质因数越大。 2. 特性参数 1). 品质因数: 结电容容抗与寄生串联电阻之比，用Q表示 Q---变容二极管储存能量与消耗能量之比 2).截止频率： 品质因数下降为１时的工作频率，用fc表示 Rs小，Q与fc高 1.4.4 pin二级管 1. 基本结构 pin是在高掺杂p区和n区之间有一本征层（i区）的二极管。 本征层很难实现，通常用高阻p-型层或高阻n-型层代替： pp-n---pπn; pn-n---pνn 图 (b)---杂质分布; (c)---空间电荷分布; (d)---电场分布。 2.电荷分