半导体物理学纲要教程.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * 表面复合 实际上，少数载流子寿命值在很大程度上受半导体样品的形状和表面状态的影响。 表面复合是指在半导体表面发生的复合过程。表面处的杂质和表面特有的缺陷也在禁带中形成复合中心能级，因此，表面复合仍为间接复合。 表面复合率Us：单位时间通过单位表面积复合掉的电子-空穴对数。 实验发现，表面复合率与表面处非平衡载流子浓度成正比，比例系数称为表面复合速度s。 表面复合具有重要的实际意义，可以影响载流子的注入效果。 * * 俄歇复合 载流子从高能级向低能级跃迁发生电子-空穴复合时，一定要释放出多余的能量。如果载流子将多余的能量传给另一个载流子，使这个载流子被激发到能量更高的能级上去，当它重新跃迁回低能级时，多余的能量常以声子形式放出，这种复合称为俄歇复合,其特征为伴随着复合过程有另一个载流子的跃迁过程。可将俄歇复合分为带间复合和与杂质和缺陷有关的复合两大类。在小信号情况下，俄歇复合率正比于非平衡载流子的浓度。 * * 欧姆接触 整流接触 所谓欧姆接触是指金属与半导体间接触电阻很小，不产生明显的附加阻抗，不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 金属与半导体相接触，在紧密接触的金属和半导体之间加上电压时，阻挡层具有类似 p-n 结的伏-安特性，即有整流特性，则称为整流接触。 * * 杂质半导体中的非平衡少子寿命 小注入时，非平衡少子的寿命取决于n0、p0、 n1、p1 ，其中最大者起主要作用。 对于一般的复合中心，rn=rp=r, 那么τp=τn=1/(Ntr) * * 掺金工艺 在掺金的硅中，少子寿命与金的浓度成反比。因此，通过控制金浓度，可以在宽广的范围内改变少子的寿命。少量的有效复合中心就能大大缩短少数载流子的寿命,掺金工艺已作为缩短少数载流子的寿命的有效手段而广泛应用。 * * 肖特基二极管与PN结二极管 肖特基二极管与PN结二极管具有类似的电流-电压关系，即它们都有单向导电性；但又有区别： 首先，就载流子的运动形式而言，PN结正向导通时，由P区注入N区的空穴或由N区注入P区的电子都是少数载流子，它们先形成一定的积累，然后靠扩散运动形成电流。这种注入的非平衡载流子的积累称为电荷存储效应，它严重地影响了PN结的高频特性。而肖特基二极管的正向电流主要是由半导体中的多数载流子进入金属形成的，它是多数载流子器件，因此有比PN结更好的高频特性。 其次，对于相同的势垒高度，肖特基二极管的JsD 或 JsT 比PN结的反向饱和电流Js 大得多。换言之，对于同样的使用电流，肖特基势垒二极管将有较低的正向导通电压，一般为 0.3V左右。 * * 强电场下欧姆定律发生偏离的原因 主要可以从载流子与晶格振动散射时的能量交换过程来说明。 在有电场存在时，载流子从电场中获得能量，随后又以发射声子的形式将能量传给晶格，稳态时平均的说，单位时间载流子从电场中获得的能量同给予晶格的能量相同。 在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子和晶格系统不再处于热平衡状态。此时，欧姆定律发生偏移，表明电导率不再是常数，随电场而变。电导率决定于载流子浓度和迁移率。平均漂移速度与电场强度不再成正比，迁移率随电场改变。 * * 漂移迁移率和电导迁移率 漂移迁移率：半导体内部电场稳定时，载流子具有一个恒定不变的平均漂移速度。电场强度增大，平均漂移速度也增大，将μ称为载流子的漂移迁移率，表示单位场强下载流子平均漂移速度。 电导迁移率：对等能面为旋转椭球面的多极值半导体，因为晶体不同方向有效质量不同，所以引入半导体电导有效质量mc来取代m*，这样得到的迁移率μ称为电导迁移率，记为μc。 * * 强场效应、耿氏效应、异质结窗口效应 强场效应：指当电场强度很强时，电流密度和电场强度关系偏离了欧姆定律，迁移率随电场变化。可以从载流子与晶格振动散射时能量交换过程来说明。在强电场情况下，载流子有效温度Te比晶格温度 T高，载流子平均能量比晶格的大，在平均自由程不变的情况下，平均自由时间减小，因而迁移率降低。 耿氏效应：在耿氏器件两端加上电压后，由于器件内局部掺杂不均匀，使器件内场强处于负微分电导区时，就形成带负电的电子积累层和带正电的由电离施主构成的电子耗净层 ，组成空间电荷偶极层，称为偶极畴。偶极畴形成后，畴内正负电荷产生一个与外加电场同方向的电场，使畴内电场增强，畴外电场降低随着偶极高场畴不断生成、生长达到稳定，形成耿氏震荡，这个效应称为耿氏效应。 异质结窗口效应：用禁带宽度不同的两块半导体构成的异质结，并将禁带宽度Eg1 大的半导体1作为光的入射面时，则半导体1的透射光谱与禁带宽度Eg2较小的半导体2的吸收光谱组成一个较宽的光