华南理工大学半导体物理三单元演示文稿.pptVIP

载流子的简并花 简并(degenerate)半导体：对于高掺杂的n型或p型半导体，EF将高于EC，或低于EV。此种半导体称为简并半导体。 对于简并半导体，由于掺杂浓度等于或高于相对的有效态密度，我们不能再使用式 作数值积分。 的近似值，而需对式 （E－EF）＞3kT （E－EF）＜3kT 简并半导体的载流子浓度 简并化条件 简并时杂质没有充分电离 关于高掺杂的另一个重点是禁带宽度变窄效应（bandgap narrowing effect），即高杂质浓度造成禁带宽度变小。室温下硅的禁带宽度减小值ΔEg为 例如，当ND≤1018cm－3时，ΔEg≤0.022eV，这小于原来禁带宽度值的2%。然而，当ND≥NC＝2.86×1019cm－3时，ΔEg≥0.12eV，已占Eg相当大的比例。 Thank you for listening 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 费米分布与玻耳兹曼分布 3.2 半导体载流子的统计 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度及费米能级随温度的变化 3.6 简并半导体的载流子浓度 本征载流子浓度ni:对本征半导体而言，导带中每单位体积的电子数与价带每单位体积的空穴数相同,即浓度相同，称为本征载流子浓度，可表示为n=p=ni 本征费米能级Ei：本征半导体的费米能级。 则： 在室温下，第二项比禁带宽度小得多。因此，本征半导体的本征半导体的本征费米能级Ei相当靠近禁带的中央。 本征载流子浓度 所以： 即： 其中Eg=EC-EV。室温时，硅的ni为9.65×109cm-3；砷化镓的ni为2.25×106cm－3。上图给出了硅及砷化镓的ni对于温度的变化情形。正如所预期的，禁带宽度越大，本征载流子浓度越小。 最终： 本征载流子浓度ni/cm-3 Si GaAs 该式对非本征半导体同样成立，称为质量作用定律。 第三章 半导体中载流子的统计分布 3.1 费米分布与玻耳兹曼分布 3.2 半导体载流子的统计 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度及费米能级随温度的变化 3.6 简并半导体的载流子浓度 杂质半导体的载流子浓度 杂质能级上的电子和空穴 实际的半导体总是含有一定量的杂质。当杂质只是部分电离的情况下，在一些杂质能级上就有电子占据着。例如在未电离的施主杂质和已电离的受主杂质的杂质能级上都被电子所占据。 杂质能级与能带中的能级是有区别的 能带中的能级可容纳自旋方向相反的两个电子；杂质能级不允许同时被自旋相反的两个电子占据，它只能被一个有任一方向自旋的电子占据或不接受电子。 n型半导体的载流子浓度 P型半导体的载流子浓度 非简并(nondegenerate)半导体：电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密度，即费米能级EF至少比EV高3kT，或比EC低3kT的半导体。 通常对硅及砷化镓中的浅层受主而言，室温下即有足够的热能，供给将所有施主杂质电离所需的能量ED，因此可在导带中提供与所有施主杂质等量的电子数，即可移动的电子及不可移动的施主离子二者浓度相同。这种情形称为完全电离，如图。在完全电离的情形下，电子浓度为 施主离子 可见，施主浓度越高，能量差(EC-EV)越小，即费米能级往导带底部移近。同样地，受主浓度越高，费米能级往价带顶端移近。 同样，对如图所示的浅层受主能级，假使完全电离，则空穴浓度为p=NA 受主离子 以本征载流子浓度ni及本征费米能级Ei来表示电子及空穴浓度是很有用的，因为Ei常被用作讨论非本征半导体时的参考能级。 下图显示如何求得载流子浓度的步骤（注意np＝ni2），其步骤与求本征半导体时类似。但在此例中费米能级较接近导带底部，且电子浓度（即上半部阴影区域）比空穴浓度（下半部阴影区域）高出许多。 N(E) F(E) n(E)和p(E) 导带 价带 0 0.5 1.0 (a) 能带图 (b) 态密度 (c) 费米分布函数 (d) 载流子浓度 例 一硅晶掺入每立方厘米1016个砷原子，求室温下(300K)的载流子浓度与费米能级。 解 在300K时，假设杂质原子完全电离，可得到 室温时，硅的ni为9.65×109cm-3 从本征费米能级算起的费米能级为 从导带底端算起的费米能级为 因为 多数载流子浓度与少数载流子浓度 在完全电离的情况下，可以得到 可得到n型半导体中平衡电子和空穴的浓度。 其中下标符合n表示n型半导体。因为电子是支配载流子，所以称为多数载流子（