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磁控溅射法制备azo透明导电薄膜及其性能的研究-材料学专业论文 word格式
学位论文原创性声明本人郑重声明:所递交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作 所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已 经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中 以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名: 日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,同意学校保留 并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人 授权上海工程技术大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密□,在年解密后适用本授权书。本学位论文属于不保密□。(请在以上方框内打“√”)学位论文作者签名:指导教师签名:日期:年月日日期:年月日磁控溅射法制备 AZO 透明导电薄膜及其性能的研究 摘 要透明导电氧化物(TCO)薄膜是广泛应用于太阳能电池、平板显示器和传感器等领 域的一类薄膜材料,其在可见光波长范围内的平均透过率超过 80%,电阻率一般在 10-3 Ω·cm 以下。锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜因为其优异的光电性能是目前应用最为广泛 的 TCO 材料。但是,铟资源的严重短缺造成的高成本以及铟元素具有毒性,使得寻 找一种廉价无毒且性能足以媲美 ITO 的新型透明导电薄膜来替代 ITO 薄膜势在必行。 和传统 ITO 相比,铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜具有资源丰富、廉价无毒、化学和热稳定 性能良好等优势,被认为是替代 ITO 薄膜的最佳候选材料。本文利用射频磁控溅射法(RFMS),在普通载波片上制备了 AZO 透明导电薄膜。 利用 X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、四探针测 试仪和紫外-可见分光光度计研究了溅射功率、溅射气压、基底偏压和次级磁场对 AZO 薄膜表面形貌、粗糙度、晶体结构以及光电性能的影响。实验结果表明:1. 制备的 AZO 薄膜呈六角纤锌矿结构,晶粒沿(002)晶面定向生长。薄膜的晶 粒尺寸、表面粗糙度以及(002)面衍射峰强度随着溅射功率的增加逐渐增大。溅射功 率较低时,薄膜的生长模式为层状模式,而溅射功率较高时,薄膜的生长模式为岛状 模式。薄膜电阻随着溅射功率的增加而减小,溅射功率为 150 W 时,薄膜的方阻降 至 30 Ω/口。溅射功率较小时薄膜具有较高的可见光透过率,薄膜的光学带隙宽度随 着溅射功率的提高缓慢增加;2. 溅射气压较小时,薄膜晶粒尺寸很小,但大小均匀,随着气压的增加,晶粒 尺寸逐渐增大,表面粗糙度先增大后减小。溅射气压不超过 2.0 Pa 时,(002)晶面衍 射峰的强度随着溅射气压的增加而增强,说明增大溅射气压可以加快晶粒的生长速 度。溅射气压过高会导致薄膜的晶体结构变差,减缓薄膜的生长的速度。溅射气压为 0.5 Pa 和 2.0 Pa 时,薄膜具有较高的可见光透过率,其大小受到薄膜厚度、结晶度I以及表面形貌等因素的综合影响。溅射气压为 2.0 Pa 时,AZO 薄膜具有最小的方阻, 大小为 26.59 Ω/口。3. 施加偏压后,薄膜表面晶粒呈现无定形状(破碎状),但是晶粒大小均匀,结 合更为致密,表面无异常大的颗粒形成。晶粒尺寸随基底偏压的升高缓慢增大,表面 粗糙度随之增加,薄膜表面呈现更为明显的金字塔结构。溅射偏压没有改变的晶粒生 长的择优取向性,但加快了薄膜中其它晶面的生长速度。施加偏压后,薄膜具有很好 的可见光透过性,平均透过率超过 86%。过高的偏压会起到反溅的作用,对薄膜的生 长有不利的影响。4. 在传统溅射系统中外加一个次级磁场,引入次级磁场后薄膜的沉积速率从原先的 13.04 nm/min 提高到了 19.93 nm/min;施加次级磁场后薄膜表面平整致密、颗粒 大小均匀,结晶质量较高,而不加磁场薄膜表面形貌呈蠕虫状,薄膜质量较差。溅射 时间为 90 min 时,外加磁场前后 AZO 薄膜方阻分别为 30.74 Ω/口和 12.88 Ω/口。次级 磁场对薄膜可见光透过率影响不大,但使薄膜的吸收边蓝移现象更明显。运用 ANSYS 软件对磁控溅射二维磁场分布模拟后发现,次级磁场提高了靶上方横向磁场强度,改 善了磁场分布的均匀性,加强了磁场对电子的磁控作用,提高了靶电流,是 AZO 薄 膜的溅射速率、光电性能和形貌结构得到提高和优化的原因。关键词:磁控溅射,次级磁场,透明导电薄膜,AZO,光电性能IISTUDY ON THE PROPERTIES OF AZO TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS PREPARED BY MAGNETRON SPUTTERINGABSTRACTTrans
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