介观干涉仪中量子输运-凝聚态物理专业论文 word格式.docx

摘要介观体系这一概念是人们在研究凝聚态物理时从无序系统中逐渐形成的。由于介观系统所具有的独特量子行为，使得以量子理论为基础的半导体介观电子学成为凝聚态物理及半导体材料物理等领域的研究前沿之一。当前，随着科学技术的发展和微加工技术的进步，实验上已经能够制备出尺寸能够达到介观尺寸的量子器件。因此，对介观系统中的电子输运的研究不论从理论上还是从实验上都引起了物理学家们的极大兴趣。另外，量子相干现象已在各种介观器件的电子输运实验中观测到。Aharonov-Bohm(AB)效应展示的介观环结构中量子相干现象就是一个典型的实例。当外加磁场改变时，电子通过两条路径所产生的量子干涉效应将引起量子平行电阻中的电导振荡。对于一个孤立的介观环，磁通可以在环内产生沿着环路流动的电流，这种电流被称作持续流。1995年，Javarnnar和Deo等人在研究开放介观环的过程中发现，在无磁场的情况下介观环里也会出现一个沿着环路循环的电流。而且只要在环两端施加的偏压不变，这个电流就是无耗散的，会一直存在。这就打破了以前人们认为的只有在有磁场存在的情况下环路中才会出现循环电流的观念。刚开始人们把这个电流也叫做持续流。但是随着研究的不断深入，人们发现这个电流和前面的持续流截然不同。直到现在，人们对持续流和循环流的性质和物理起源仍然不是很了解。本论文主要是研究介观干涉器件中的量子输运现象。特别是对介观环中的持续流和循环流的本质做了进一步的比较。具体将研究Buttiker和Jayannavar-Deo 图像中的持续流定义引起的差别，以及介观干涉仪中由不同的物理根源引起的持续流定义。实际上，对于存在AB磁通的电子输运，Onsager关系要求输运电流必须是AB磁通的偶函数。由这个必要条件，我们预言这两个不同的电流公式有不同的物理起源。而其中的一个是基于局域电流的量子干涉性所引起的循环流。在第二章中，为利用上述结论来研究量子器件中的量子输运现象，我们设计了一个不存在外磁场存在情况下的理想的两端口环路介观干涉仪（介观环）。我们回答了电子透射中Fano反共振点是否是出现循环流的必要条件的问题。同时，我们总结出了一个普适的两端口介观环中循环流的定义式。此定义式区分了Buttiker定义式中经典循环流和量子循环流混淆的部分，完全抛开了其经典的一面。从根源上阐明了其具有的普适性。我们发现即使在介观环的上下两臂长相等而量子干涉发生在传播波和衰减波之间的时候，在透射系数不为点（Fano反共振点）的时候仍然会出现一个循环流。由此可以看出循环流不仅仅在上下臂长不相等的时候才会出现。这就打破了以往人们对循环流的普遍认识。当介观环上下臂长的不对称性一直增加到某一临界值的时候，第一个Fano反共振点才会出现，而且Fano反共振点附近有循环流的存在。简言之，本章的研究证明在两端口的介观干涉仪中Fano反共振点并不是循环流产生的必要条件。在第三章中，我们进一步研究了当两端口的介观环的其中一端连接一个超导体的情形。我们主要关注于电子在此介观干涉仪中由于超导体相关性和Fano干涉效应的共同作用下所产生的一系列量子输运现象。我们发现由于超导体相关性和量子干涉效应，在准粒子激发能为零的时候，介观干涉仪中的量子输运产生了所谓的Fano-Andreev反共振现象。在准粒子激发能为有限值的时候，每一个Fano-Andreev反共振点都会被劈裂成两个。在这些劈裂的Fano-Andreev反共振点上，包括输运电流和循环流在内的所有电流都会消失。但是对于较高的超过超导能隙的激发能量，准粒子会直接透射进超导体，从而破坏处于较高能量那个Fano-Andreev反共振点。在Fano-Andreev反共振能量附近，由于干涉仪中上下臂长不对称所引起的量子干涉形成的循环流在复能量空间上出现了两种类型的反共振结构。循环流的大小和方向在很大程度上依赖于超导相关性。在远离Fano-Andreev反共振点的地方，我们发现在特定的费米能区间内会出现只有电子型准粒子循环流或空穴型准粒子循环流的情形。因此，只有空穴型准粒子循环流存在的现象也可以作为一种用来实验上验证Andreev空穴准粒子存在的方法。另外，我们也讨论了超导体界面上的界面势效应对输运电流和循环流的影响。我们发现被纯净超导界面的电流幅值所归一化的输运电流和循环流有着同样的电流行为，并且它们显示出同样的I(Z)??Z电流曲线。这就意味着超导界面势对输运电流和循环流的影响是相同的。这个普适的归一化电流随着界面势的变化遵循着三种不同的电流特征行为类型。我们也讨论到了Fano-Andreev反共振能量附近三种不同的电流特征行为类型之间的转变行为，并且给出了一个电流行为转变图。我们观察到此介观干涉仪中的一种准振荡行为的电流特征也是首次被发现。这也是由超导相关性和量子干涉的综合效应所引起的一个独