北航数电第二章.pptVIP

第二章 门电路 2-1 导论 2-2 分立元件门电路 2-3 TTL门电路 2-4 其它类型TTL门电路 2-5 CMOS逻辑门 门电路的分类 两大类工艺技术的特点： 速度 功耗 集成度 TTL 快 大 低 MOS 慢 小 高 目前最常用的工艺: CMOS 按封装（外形）分：双列直插、扁平封装、表面封 装、针式 2.2 分立元件门电路 +12V A B DA DB R F uA uB uF 0V 0V 0V 0V 3V 0V 3V 0V 0V 3V 3V 3V A B F 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 F=AB F=A+B A B DA DB R F 晶体管非门电路(反相器) F=A +12V Rc T RA A F +5 V T 1 R 1 R 2 T 2 T 3 T 4 R 3 R 4 Y W k 4 W .6k 1 W 130 W k 1 A D 2.3 TTL门电路 一、结构与原理 TTL非门 TTL与非门电路 二、特性 ui/V ii/mA 0 1 2 –1 IIS IIH IIL IIH —输入高电平电流(输入漏电流(40?A) IIS —输入短路电流(–1.6mA) IIL —输入低电平电流 1、 输入伏安特性 F +5V ui ii 1 2、 输入端负载特性 1 F +5V Ri ui ui Rb1 T1 +5V Ri Ri较小时，uiUT，ui=“0” Ri较大时，uiUT，ui=“1” 临界时 ui= Ri+Rb1 Ri (5–Ube)=1.4 Ron—开门电阻， Ri Ron(2.5K?)，ui为高电平。 Roff —关门电阻， Ri Roff(0.85K?)，ui为低电平。 TTL门电路输入端悬空时为“1”。 i 3、输出特性 拉电流负载 (输出高电平有效) IOH IOH —输出高电平电流(拉电流400?A) 灌电流负载 (输出低电平有效) IOL IOL—输出低电平电流(灌电流16mA) “0” “1” F R 1 “0” “1” F +5V R 1 4、电压传输特性 Vi 1 F A Vo +5V R uo /V 1 2 3 4 ui /V 0 1 2 UOH UOL UOHmin Uff Uon—开门电平 (输出低电平的最大值≤ 0.4V ) U0Lmax Uon Uff—关门电平 (输出高电平的最小值≥ 2.4V) ui uo UOH UOL 理想化 UT UT —阈值电压(门槛电平) UT=1.4V 三、门电路级联： 前一个器件的输出就是后一个器件的输入，后一个是前一个的负载，两者要相互影响。 “0” “1” “0” II L IOL T4 T5 +5V T1 +5V Rb1 II L IOL T4 T5 +5V “1” T1 +5V Rb1 IOH II H 1 1 “1” “0” IOH II H 1 1 负载能力的计算 “1” IOH II H II H II H II H IOH=N?IIH N=IOH/IIH=400/40=10 “0” IOL II L II L II L II L IOL=N?IIL N=IOL/IIL=16/1.6=10 N —扇出系数 1 1 直流参数 低电平输入电流 IIL≤1.6 mA 高电平输入电流 IIH ≤40 ?A 低电平输出电流 IOL≤16 mA 高电平输出电流 IOH ≤0.4 mA 低电平输出电压 VOL≤0.4V (10个负载) 高电平输出电压 VOH ≥2.4V (10个负载) 传输延迟时间 A F A F 理想波形 实际波形 tPd1 50% 50% tPd2 tpd1—前沿传输延迟时间 tpd2—后沿传输延迟时间 平均传输延迟时间 tpd= tpd1+tpd2 2 F A 1